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TC514100AP-80

IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, Dynamic RAM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Toshiba(东芝)

厂商官网:http://toshiba-semicon-storage.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Toshiba(东芝)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP,
针数
18
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
80 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码
R-PDIP-T18
JESD-609代码
e0
长度
22 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
18
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
座面最大高度
4.4 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
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