Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT104N
Key Parameters
V
DRM
/ V
RRM
I
TAVM
I
TSM
V
T0
r
T
R
thJC
Base plate
1400V
102A (T
C
=85°C)
2050A
0,85V
2,43mΩ
0,35K/W
20mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit
Industrie-Standard-Gehäuse
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Features
Pressure contact technology for high reliability
Industrial standard package
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Sanftanlasser
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Kurzschließer-Applikationen
Leistungssteller
Gleichrichter für UPS
Batterieladegleichrichter
Statische Umschalter
Bypass-Schalter
Typical Applications
Soft starters
Rectifier for drive applications
Crowbar applications
Power controllers
Rectifiers for UPS
Battery chargers
Static transfer switches
Bypass switches
content of customer DMX code
serial number
SAP material number
Internal production order number
datecode (production year)
datecode (production week)
DMX code
digit
1..5
6..12
13..20
21..22
23..24
DMX code
digit quantity
5
7
8
2
2
TT
TD
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Date of Publication 2020-01-14
Revision: 3.2
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT104N
TT104N
TT104N…-K
TT104N…-A
TD104N
TD104N…-A
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
C
= 85°C
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, i
GM
= 0,6A, di
G
/dt =
0,6A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
T
vj
= -40°C... T
vj max
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
1200 V
1400 V
1200 V
1400 V
1300 V
1500 V
160 A
102 A
2050 A
1800 A
21000 A²s
16200 A²s
150 A/µs
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 300 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
A
= 1Ω
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
≥ 10Ω
i
GM
= 0,6A, di
G
/dt = 0,6A/µs, t
g
=
20µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25°C, i
GM
= 0,6A, di
G
/dt =
0,6A/µs
v
T
V
(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
1,73 V
0,85 V
2,43 mΩ
120 mA
1,4 V
5 mA
2,5 mA
0,2 V
200 mA
620 mA
i
D
, i
R
t
gd
max.
max.
50 mA
3 µs
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
TT104N
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter O
RMS, f = 50 Hz, t = 1min
t
q
Thermische Eigenschaften
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
typ.
V
ISOL
150 µs
2,5 kV
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R
thJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,185
0,37
0,175
0,35
K/W
K/W
K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
0,05 K/W
0,1 K/W
140 °C
Mechanische Eigenschaften
-40...+130 °C
-40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
Basic insulation (class 1, IEC61140)
Toleranz / Tolerance ± 15%
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
G
M1
M2
Seite 4
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AlN
4
4
A 2,8 x 0,8
typ.
160 g
12,5 mm
50 m/s²
E 83335
Nm
Nm
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Technische Information /
technical information
d
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT104N
1
2
4 5
7 6
3
1
2
4 5
3
TT
1
2
4 5
TD
3
6 7
1
2
4 5
3
TT-A
1
2
5 4 7 6
TD-A
3
TT-K
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technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT104N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[K/W]
τ
n
[s]
0,146
0,128
0,0518
0,0195
0,005
0
0
1,24
0,235
0,022
0,00223
0,00004
n
max
n=1
1
–t
1
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
½
R
thn
1 -e
n
Erhöhung des Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Z
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZ
th Θ rec
/ ΔZ
th Θ sin
Θ = 180°
ΔZ
th Θ rec
[K/W]
ΔZ
th Θ sin
[K/W]
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
0,03895
0,06674
0,08897
0,12357
0,18905
0,01946
0,03055
0,04580
0,07056
0,11467
Z
th Θ rec
= Z
th DC
+
Z
th Θ rec
Z
th Θ sin
= Z
th DC
+
Z
th Θ sin
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