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TFR2TTPA1

DIODE 0.5 A, 1500 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Toshiba(东芝)

厂商官网:http://toshiba-semicon-storage.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Toshiba(东芝)
包装说明
O-PALF-W2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
O-PALF-W2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
最大输出电流
0.5 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
1500 V
最大反向恢复时间
4 µs
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
参数对比
与TFR2TTPA1相近的元器件有:TFR2TTPA2。描述及对比如下:
型号 TFR2TTPA1 TFR2TTPA2
描述 DIODE 0.5 A, 1500 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.5 A, 1500 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 0.5 A 0.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1500 V 1500 V
最大反向恢复时间 4 µs 4 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
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