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THLY25N01C75L

IC 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144, DIMM-144, Dynamic RAM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Toshiba(东芝)

厂商官网:http://toshiba-semicon-storage.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Toshiba(东芝)
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM, DIMM144,32
针数
144
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
5.4 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
133 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N144
内存密度
2147483648 bi
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
144
字数
33554432 words
字数代码
32000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
32MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM144,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
自我刷新
YES
最大待机电流
0.008 A
最大压摆率
1.28 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
文档预览
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参数对比
与THLY25N01C75L相近的元器件有:THLY25N01C70、THLY25N01C70L。描述及对比如下:
型号 THLY25N01C75L THLY25N01C70 THLY25N01C70L
描述 IC 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144, DIMM-144, Dynamic RAM IC 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144, DIMM-144, Dynamic RAM IC 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144, DIMM-144, Dynamic RAM
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32
针数 144 144 144
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 143 MHz 143 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 2147483648 bi 2147483648 bit 2147483648 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 144 144 144
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX64 32MX64 32MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES
最大待机电流 0.008 A 0.008 A 0.008 A
最大压摆率 1.28 mA 1.36 mA 1.36 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
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器件捷径:
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