IC 256M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
厂商名称:Toshiba(东芝)
厂商官网:http://toshiba-semicon-storage.com/
下载文档型号 | THMR2N16-8 | THMR2N16-7 |
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描述 | IC 256M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | IC 256M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM |
零件包装代码 | DIMM | DIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM184,40 | DIMM, DIMM184,40 |
针数 | 184 | 184 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
最长访问时间 | 45 ns | 45 ns |
其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH | SELF CONTAINED REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz | 711 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 |
长度 | 133.35 mm | 133.35 mm |
内存密度 | 4294967296 bit | 4294967296 bit |
内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM MODULE | RAMBUS DRAM MODULE |
内存宽度 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 184 | 184 |
字数 | 268435456 words | 268435456 words |
字数代码 | 256000000 | 256000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
组织 | 256MX16 | 256MX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM | DIMM |
封装等效代码 | DIMM184,40 | DIMM184,40 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源 | 2.5 V | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 34.93 mm | 34.93 mm |
自我刷新 | YES | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.63 V | 2.63 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.37 V | 2.37 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 1 mm | 1 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
宽度 | 8 mm | 8 mm |