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TICP106DR

Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-92, PLASTIC, LP003, 3 PIN

器件类别：模拟混合信号IC    触发装置   

厂商名称：Bourns

厂商官网：http://www.bourns.com

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Bourns
零件包装代码
TO-92
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
配置
SINGLE
最大直流栅极触发电流
0.2 mA
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大均方根通态电流
2 A
断态重复峰值电压
400 V
重复峰值反向电压
400 V
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
触发设备类型
SCR
文档预览
TICP106 SERIES
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
●
●
●
●
●
●
2 A Continuous On-State Current
15 A Surge-Current
Glass Passivated Wafer
400 V to 600 V Off-State Voltage
Max I
GT
of 200 µA
Package Options
PACKAGE
LP
LP with fomed leads
PACKING
Bulk
Tape and Reel
PART # SUFFIX
(None)
R
LP PACKAGE
(TOP VIEW)
G
A
K
1
2
3
MDC1AA
LP PACKAGE
WITH FORMED LEADS
(TOP VIEW)
G
A
K
MDC1AB
1
2
3
absolute maximum ratings over operating case temperature (unless otherwise noted)
RATING
Repetitive peak off-state voltage (see Note 1)
Repetitive peak reverse voltage
Continuous on-state current at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)
Surge on-state current (see Note 3)
Peak positive gate current (pulse width
≤
300
µs)
Average gate power dissipation (see Note 4)
Operating case temperature range
Storage temperature range
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds
TICP106D
TICP106M
TICP106D
TICP106M
SYMBOL
V
DRM
V
RRM
I
T(RMS)
I
TSM
I
GM
P
G(AV)
T
C
T
stg
T
L
VALUE
400
600
400
600
2
15
0.2
0.3
-40 to +110
-40 to +125
230
UNIT
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
NOTES: 1. These values apply when the gate-cathode resistance R
GK
= 1 kΩ.
2. These values apply for continuous dc operation with resistive load. Above 25°C derate linearly to zero at 110°C.
3. This value applies for one 50 Hz half-sine-wave when the device is operating at (or below) the rated value of peak reverse volta ge
and on-state current. Surge may be repeated after the device has returned to original thermal equilibrium.
4. This value applies for a maximum averaging time of 20 ms.
MARCH 1988 - REVISED SEPTEMBER 2002
Specifications are subject to change without notice.
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
TICP106 SERIES
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
electrical characteristics at 25°C case temperature (unless otherwise noted)
PARAMETER
I
DRM
I
RRM
I
GT
V
GT
I
H
V
T
NOTE
Repetitive peak
off-state current
Repetitive peak
reverse current
Gate trigger current
Gate trigger voltage
Holding current
On-state voltage
V
D
= rated V
DRM
V
R
= rated V
RRM
V
AA
= 12 V
V
AA
= 12 V
V
AA
= 12 V
I
T
= 1 A
TEST CONDITIONS
R
GK
= 1 kΩ
I
G
= 0
R
L
= 100
Ω
R
L
= 100
Ω
R
GK
= 1 kΩ
R
GK
= 1 kΩ
(see Note 5)
t
p(g)
≥
20
µs
t
p(g)
≥
20 µs
Initiating I
T
= 10 mA
0.4
5
MIN
TYP
MAX
20
200
200
1
5
1.5
UNIT
µA
µA
µA
V
mA
V
5: This parameter must be measured using pulse techniques, t
p
= 1 ms, duty cycle
≤
2 %. Voltage sensing-contacts, separate from
the current carrying contacts, are located within 3.2 mm from the device body.
2
MARCH 1988 - REVISED SEPTEMBER 2002
Specifications are subject to change without notice.
NOITAMROFNI
TCUDORP
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参数对比
与TICP106DR相近的元器件有：TICP106MR、TICP106MR-S、TICP106DR-S、TICP106D、TICP106M。描述及对比如下：
型号 TICP106DR TICP106MR TICP106MR-S TICP106DR-S TICP106D TICP106M
描述 Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-92, PLASTIC, LP003, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92, PLASTIC, LP003, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92, PLASTIC, LP003, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-92, PLASTIC, LP003, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-92, PLASTIC, LP003, 3 PIN Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92, PLASTIC, LP003, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 Bourns Bourns Bourns Bourns Bourns Bourns
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown compliant compliant compliant compliant
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A
断态重复峰值电压 400 V 600 V 600 V 400 V 400 V 600 V
重复峰值反向电压 400 V 600 V 600 V 400 V 400 V 600 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR
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