TK090A65Z
MOSFET
シリコンNチャネルMOS½
(DTMOS)
TK090A65Z
1.
用途
•
スイッチング電源用
2.
特長
(1)
(2)
(3)
スーパージャンクション構造DTMOSの採用によりオン抵抗が½い。:
R
DS(ON)
= 0.075
Ω
(標準)
½容量によるスイッチングスピードの高速化。
取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。:
V
th
= 34 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1.27 mA)
3.
外観と内部回路構成図
1:
ゲート
2:
ドレイン
3:
½ース
TO-220SIS
4.
絶対最大定格
(
注
) (
特に指定のない限り
, T
a
= 25
)
(注 (特に指定のない限り
特に指定のない限り,
項目
ドレイン・½ース間電圧
ゲート・½ース間電圧
ドレイン電流
(DC)
ドレイン電流
(パルス)
許容損失
アバランシェエネルギー
(単発)
アバランシェ電流
(単発)
ドレイン逆電流
(DC)
ドレイン逆電流
(パルス)
チャネル温度
保存温度
絶縁耐圧
(実効値)
締め付けトルク
(注1)
(注1)
(T
c
= 25
)
(注2)
(注1)
(注1)
記号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AS
I
DR
I
DRP
T
ch
T
stg
V
ISO(RMS)
TOR
定格
650
±30
30
120
45
265
7.5
30
120
150
-55150
2000
0.6
V
Nm
W
mJ
A
A
単½
V
注: 本½品の½用条件
(½用温度/電流/電圧等)
が絶対最大定格以内での½用においても, 高負荷
(高温および大電流/
高電圧印加, 多大な温度変化等) で連続して½用される場合は, 信頼性が著しく½下するおそれがあります。
弊社半導½信頼性ハンドブック
(取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法)
および
個別信頼性情報
(信頼性試験レポート,
推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設計をお願いします。
½品量産開始時期
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
1
2019-01
2018-11-09
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5.
熱抵抗特性
項目
チャネル・ケース間熱抵抗
チャネル・外気間熱抵抗
記号
R
th(ch-c)
R
th(ch-a)
最大
2.77
62.5
単½
/W
注1: チャネル温度が150
を超えることのない放熱条件でご½用ください。
注2: アバランシェエネルギー
(単発)
印加条件
V
DD
= 90 V, T
ch
= 25
(初期), L = 8.34 mH, I
AS
= 7.5 A
注意:この½品はMOS構造です。取り扱いの際には静電気にご注意ください。
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2
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6.
電気的特性
6.1.
静的特性
(
特に指定のない限り
, T
a
= 25
)
(特に指定のない限り
特に指定のない限り,
項目
ゲート漏れ電流
ドレインしゃ断電流
ドレイン・½ース間降伏電圧
ゲートしきい値電圧
ドレイン・½ース間オン抵抗
記号
I
GSS
I
DSS
V
(BR)DSS
V
th
R
DS(ON)
測定条件
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 650 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V, I
D
= 1.27 mA
V
GS
= 10 V, I
D
= 15 A
最小
650
3
標準
0.075
最大
±1
2
4
0.09
Ω
V
単½
µA
6.2.
動的特性
(
特に指定のない限り
, T
a
= 25
)
(特に指定のない限り
特に指定のない限り,
項目
入力容量
帰還容量
出力容量
実効容量
(エネルギー換算)
ゲート抵抗
スイッチング時間
(上昇時間)
スイッチング時間
(ターンオン時間)
スイッチング時間
(下降時間)
スイッチング時間
(ターンオフ時間)
MOSFET dv/dt耐量
記号
C
iss
C
rss
C
oss
C
o(er)
r
g
t
r
t
on
t
f
t
off
dv/dt
V
DS
V
(BR)DSS
, I
D
15 A
V
DS
= 0
400 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= OPEN , f = 1 MHz
図6.2.1参照
測定条件
V
DS
= 300 V, V
GS
= 0 V, f = 100 kHz
最小
120
標準
2780
2
63
116
3
30
60
4
100
最大
ns
V/ns
pF
Ω
ns
単½
pF
V
DD
≈
400 V
V
GS
= 10 V/0 V
I
D
= 15 A
R
L
= 26
Ω
R
G
= 10
Ω
Duty1 %, t
w
= 10
µs
図
6.2.1
スイッチング時間の測定回路
6.3.
ゲート電荷量特性
(
特に指定のない限り
, T
a
= 25
)
(特に指定のない限り
特に指定のない限り,
項目
ゲート入力電荷量
ゲート・½ース間電荷量1
ゲート・ドレイン間電荷量
記号
Q
g
Q
gs1
Q
gd
測定条件
V
DD
≈
400 V, V
GS
= 10 V, I
D
= 30 A
最小
標準
47
15
12
最大
単½
nC
(特に指定のない限り
特に指定のない限り,
½ース
6.4.
½ース
ドレイン間の特性
(
特に指定のない限り
, T
a
= 25
)
項目
順方向電圧
(ダイオード)
逆回復時間
逆回復電荷量
ピーク逆回復電流
ダイオード
dv/dt耐量
記号
V
DSF
t
rr
Q
rr
I
rr
dv/dt
測定条件
I
DR
= 30 A, V
GS
= 0 V
V
DD
= 400 V,
I
DR
= 15 A, V
GS
= 0 V
-dI
DR
/dt = 100 A/µs
V
DD
400 V, I
DR
15 A, V
GS
= 0 V
最小
50
標準
330
5.1
31
最大
-1.7
単½
V
ns
µC
A
V/ns
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7.
現品表示
(
注
)
(注
図
7.1
現品表示
注: ロットNo.の下線は, ½品ラベルに記載される表示を識別するものです。
下線なし:
[[Pb]]/INCLUDES > MCV
下線あり:
[[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]
本½品のRoHS適合性など, 詳細につきましては½品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。
RoHS指令とは,
「電気電子機器に含まれる特定有害物質の½用制限(RoHS)に関する2011年6月8日付けの欧州議
会および欧州理事会の指令
(EU指令2011/65/EU)」のことです。
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8.
特性図
(
注
)
(注
図
8.1 I
D
- V
DS
図
8.2 I
D
- V
DS
図
8.3 I
D
- V
GS
図
8.4 V
DS
- V
GS
図
8.5 V
DSS
- T
a
図
8.6 R
DS(ON)
- I
D
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DIY/开源硬件专区
