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TLC271CDR

增益带宽积(GBP):2.2MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:950uA 压摆率(SR):5.3 V/us 电源电压:3V ~ 16V, ±1.5V ~ 8V 可编程低功耗运算放大器

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

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器件:TLC271CDR

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOIC-8
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
1 week
Samacsys Description
Texas Instruments TLC271CDR Op Amp, 1.7MHz CMOS, 5 → 15 V, 8-Pin SOIC
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架构
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)
0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)
0.00006 µA
最小共模抑制比
65 dB
标称共模抑制比
80 dB
频率补偿
YES
最大输入失调电流 (IIO)
0.00006 µA
最大输入失调电压
12000 µV
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e4
长度
4.9 mm
低-偏置
YES
低-失调
NO
微功率
NO
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端子数量
8
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
包装方法
TR
峰值回流温度(摄氏度)
260
功率
NO
电源
3/16 V
可编程功率
YES
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
标称压摆率
3.6 V/us
最大压摆率
1.6 mA
供电电压上限
18 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
1700 kHz
最小电压增益
10000
宽带
NO
宽度
3.9 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与TLC271CDR相近的元器件有:TLC271IP。描述及对比如下:
型号 TLC271CDR TLC271IP
描述 增益带宽积(GBP):2.2MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:950uA 压摆率(SR):5.3 V/us 电源电压:3V ~ 16V, ±1.5V ~ 8V 可编程低功耗运算放大器 增益带宽积(GBP):2.2MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):5.3 V/us 电源电压:4V ~ 16V, ±2V ~ 8V 可编程低功耗运算放大器
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 SOIC DIP
包装说明 SOIC-8 DIP, DIP8,.3
针数 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 1 week
Samacsys Description Texas Instruments TLC271CDR Op Amp, 1.7MHz CMOS, 5 → 15 V, 8-Pin SOIC TLC271IP, Operational Amplifier 1.7MHz CMOS 5 to 15V, 8-Pin PDIP
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA
最小共模抑制比 65 dB 65 dB
标称共模抑制比 80 dB 80 dB
频率补偿 YES YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.00006 µA 0.00006 µA
最大输入失调电压 12000 µV 10000 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e4 e4
长度 4.9 mm 9.81 mm
低-偏置 YES YES
低-失调 NO NO
微功率 NO NO
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最高工作温度 70 °C 85 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
包装方法 TR TUBE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
功率 NO NO
电源 3/16 V 4/16 V
可编程功率 YES YES
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 5.08 mm
标称压摆率 3.6 V/us 3.6 V/us
最大压摆率 1.6 mA 1.6 mA
供电电压上限 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 1700 kHz 2000 kHz
最小电压增益 10000 10000
宽带 NO NO
宽度 3.9 mm 7.62 mm
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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