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TLV9002IDR

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

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器件:TLV9002IDR

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
包装说明
SOIC-8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
6 weeks
Samacsys Confidence
4
Samacsys Status
Released
Samacsys PartID
1026720
Samacsys Pin Count
8
Samacsys Part Category
Integrated Circuit
Samacsys Package Category
Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name
D0008A
Samacsys Released Date
2018-03-12 22:34:15
Is Samacsys
N
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
最小共模抑制比
63 dB
标称共模抑制比
77 dB
最大输入失调电压
2000 µV
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
长度
4.9 mm
湿度敏感等级
2
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
座面最大高度
1.75 mm
标称压摆率
2 V/us
最大压摆率
0.15 mA
供电电压上限
6 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
AUTOMOTIVE
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
1000 kHz
宽度
3.9 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与TLV9002IDR相近的元器件有:TLV9002IDGKR、TLV9001IDBVR。描述及对比如下:
型号 TLV9002IDR TLV9002IDGKR TLV9001IDBVR
描述
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 SOIC-8 VSSOP-8 SOT-23, 5 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks 6 weeks
Samacsys Confidence 4 3 3
Samacsys Status Released Released Released
Samacsys PartID 1026720 1227002 1491177
Samacsys Pin Count 8 8 5
Samacsys Part Category Integrated Circuit Integrated Circuit Integrated Circuit
Samacsys Package Category Small Outline Packages Small Outline Packages SOT23 (5-Pin)
Samacsys Footprint Name D0008A TLV9002IDGKR DBV0006A
Samacsys Released Date 2018-03-12 22:34:15 2019-05-22 13:13:23 2019-09-27 09:46:05
Is Samacsys N N N
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最小共模抑制比 63 dB 63 dB 63 dB
标称共模抑制比 77 dB 77 dB 77 dB
最大输入失调电压 2000 µV 2000 µV 2000 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8 R-PDSO-G5
JESD-609代码 e3 e4 e4
长度 4.9 mm 3.9 mm 2.9 mm
湿度敏感等级 2 2 1
功能数量 2 2 1
端子数量 8 8 5
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP TSSOP LSSOP
封装形状 RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
座面最大高度 1.75 mm 1.1 mm 1.45 mm
标称压摆率 2 V/us 2 V/us 2 V/us
最大压摆率 0.15 mA 0.15 mA 0.077 mA
供电电压上限 6 V 6 V 6 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Matte Tin (Sn) NICKEL PALLADIUM GOLD Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 0.65 mm 0.95 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz
宽度 3.9 mm 3.9 mm 1.6 mm
Base Number Matches 1 1 1
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
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器件捷径:
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