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TM4256GU9-12L

256KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, SIMM-30

器件类别：存储存储

厂商名称：Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网：http://www.ti.com.cn/

参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Texas Instruments(德州仪器)

零件包装代码

SIMM

包装说明

SIMM, SIM30

针数

30

Reach Compliance Code

unknow

ECCN代码

EAR99

访问模式

PAGE

最长访问时间

120 ns

其他特性

RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-XSMA-N30

内存密度

2359296 bi

内存集成电路类型

DRAM MODULE

内存宽度

9

功能数量

1

端口数量

1

端子数量

30

字数

262144 words

字数代码

256000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

256KX9

输出特性

3-STATE

封装主体材料

UNSPECIFIED

封装代码

SIMM

封装等效代码

SIM30

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

MICROELECTRONIC ASSEMBLY

电源

5 V

认证状态

Not Qualified

刷新周期

256

座面最大高度

16.51 mm

最大供电电压 (Vsup)

5.5 V

最小供电电压 (Vsup)

4.5 V

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

NO

技术

NMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子形式

NO LEAD

端子节距

2.54 mm

端子位置

SINGLE

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器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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