TRIAC
( Through Hole/Non-isolated)
TMG25C60L
Triac
TMG25C60L
is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
Typical Applications
15.6±0.3
φ3
.2±
0.2
TO-3P
4.8±0.2
13.6±0.2
9.6±0.2
2
5.0±0.2
1.50
−0.05
＋0.15
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
●
2
1
19.9±0.3
18.7±0.2
13.9±0.2
Tc POINT
3
1.4±0.2
20.0±0.5
3.5±0.2
2.0±0.2
3.0±0.2
1.0±0.2
0.60
−0.05
＋0.15
2
1 T1
2 T2
3 Gate
Features
I
T(RMS)
=25A
●
High Surge Current
●
Low Voltage Drop
●
Lead-Free Package
●
5.45±0.30
1
2
5.45±0.30
3
Identifying Code：
T25C6L
Unit：
mm
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DRM
（
I
T RMS）
（Tj=25℃
unless otherwise specified）
Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
Tc＝89℃
Reference
Ratings
600
25
225
/
250
260
5
0.5
2
10
−40∼＋125
−40∼＋150
5.1
Unit
V
A
A
A
2
S
W
W
A
V
℃
℃
g
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
I
GM
V
GM
Tj
Tstg
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
DRM
V
TM
＋
I
GT1
−
I
GT1
＋
I
GT3
−
I
GT3
＋
V
GT1
Item
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
2
3
4
1
2
3
4
Non-Trigger Gate Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
Reference
V
D
=V
DRM
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
I
T
＝35A,
Inst. measurement
Ratings
Min.
Typ. Max.
5
1.4
30
30
30
1.5
1.5
1.5
Unit
mA
V
Gate Trigger Current
V
D
＝6V，R
L
＝10Ω
Gate Trigger Voltage
mA
V
GT1
V
GT3
−
V
GT3
＋
−
V
V
GD
〔dv
/
dt〕
c
I
H
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，
/
dt〕
〔di
c＝−12.5A
/
ms，V
D
＝
2 3
V
DRM
／
Junction to case
0.2
10
35
1.2
V
V
/
μs
mA
℃
/
W
Holding Current
Rth j-c） Thermal Resistance
（
Trigger mode of the triac
Mode
1
I
（
＋
）
Mode
2
I
）
（
−
Mode
3 III
（
＋
）
Mode
4 III ）
（
−
TMG25C60L
１０
０
Gate Characteristics
On-State Peak Current A）
（
１０
００
On-State Characteristics MAX）
（
Gate Voltage
（V）
１
０
V
GM
（10V）
P
GM
（5W）
１０
０
P
G
（0.5W）
（AV）
I
GM
（2A）
１
25℃
1
＋
GT１
1
−
GT１
1
−
GT３
V
GD
0.2V）
（
１
０
Ｔ= ５
½２ ℃
Ｔ =１ ５
½ ２℃
０１
．
１
０
１０
０
１０
００
１００
００
１
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
３５
.
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
Power Dissipation
（W）
３
０
２
５
２
０
１
５
１
０
５
０
０
０
θ
π
θ
2π
＝180゜
θ
θ
＝150゜
θ
＝120゜
＝90゜
θ
＝60゜
θ
θ
＝30゜
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
Allowable Case Temperature
（℃）
３
５
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
１５
２
１０
２
１５
１
１０
１
１５
０
１０
０
９
５
９
０
８
５
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
θ
＝30゜
θ
＝60゜
π
θ
３０
６゜
θ
2π
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
０
θ Conduction Angle
：
５
１
０
１
５
２
０
２
５
８
0
０
５
１
０
１
５
２
０
２
５
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current
（A）
２０
５
２０
０
１０
５
１０
０
５
０
０
１
60H
Z
50H
Z
Transient Thermal Impedance
（℃/W）
３０
０
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１.
００
Transient Thermal Impedance
Surge On-State Current A）
（
１０
.
１
０
１0
０
０１
.
００
.１
０１
.
１
１
０
Time
（Cycles）
Time
（Sec.）
I
GT
−Tj
（Typical）
１０
００
1000
V
GT
−Tj
（Typical）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
１０
０
I
＋
GT１
!
＋
）
（
I
−
GT１
!
−
）
（
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（５
100
V
＋
GT1
（!
＋
）
V
−
GT1
（!
−
）
V
−
GT3
（#
−
）
I
−
GT３
#
−
）
（
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
10
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
Junction Temp. Tj
（℃）
Junction Temp. Tj
（℃）
