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TMS28F512A-12C3DUE4

64KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

器件标准:

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
120 ns
命令用户界面
YES
数据轮询
NO
耐久性
1000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDSO-G32
长度
18.415 mm
内存密度
524288 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP1-R
封装等效代码
TSSOP32,.8,20
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
编程电压
12 V
认证状态
Not Qualified
反向引出线
YES
座面最大高度
1.2 mm
最大待机电流
0.0001 A
最大压摆率
0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
0.5 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
NO
类型
NOR TYPE
宽度
8 mm
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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