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TMS29F008B-100CDCDL

IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX8,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
TSSOP, TSSOP40,.8,20
Reach Compliance Code
not_compliant
最长访问时间
100 ns
启动块
BOTTOM
命令用户界面
YES
数据轮询
YES
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDSO-G40
内存密度
8388608 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
部门数/规模
1,2,1,15
端子数量
40
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSSOP40,.8,20
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
就绪/忙碌
YES
部门规模
16K,8K,32K,64K
最大待机电流
0.000005 A
最大压摆率
0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
0.5 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
YES
类型
NOR TYPE
Base Number Matches
1
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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