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TN0106N3-G-P003

MOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Microchip(微芯科技)

厂商官网:https://www.microchip.com

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器件:TN0106N3-G-P003

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器件参数
参数名称
属性值
Product Attribute
Attribute Value
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
350 mA
Rds On - Drain-Source Resistance
4.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
2 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
系列
Packaging
Reel
产品
Product
MOSFET Small Signal
Transistor Type
1 N-Channel
Fall Time
3 ns
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1 W
Rise Time
3 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000
Typical Turn-Off Delay Time
6 ns
Typical Turn-On Delay Time
2 ns
单位重量
Unit Weight
0.016000 oz
参数对比
与TN0106N3-G-P003相近的元器件有:TN0106N3、TN0106N3-G-P014、TN0106N3-G。描述及对比如下:
型号 TN0106N3-G-P003 TN0106N3 TN0106N3-G-P014 TN0106N3-G
描述 MOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V MOSFET 60V 3Ohm MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):350mA(Tj) 栅源极阈值电压:2V @ 500uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 250mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V;350mA;3Ω@500mA,10V
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) -
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET MOSFET -
RoHS Details No Details -
技术
Technology
Si Si Si -
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole Through Hole -
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 -
Number of Channels 1 Channel 1 Channel 1 Channel -
Transistor Polarity N-Channel N-Channel N-Channel -
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V 60 V 60 V -
Id - Continuous Drain Current 350 mA 2 A 350 mA -
Rds On - Drain-Source Resistance 4.5 Ohms 3 Ohms 4.5 Ohms -
Vgs - Gate-Source Voltage 2 V 20 V 20 V -
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C - 55 C -
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C + 150 C -
Configuration Single Single Single -
Channel Mode Enhancement Enhancement Enhancement -
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel -
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1 W 1 W 1 W -
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000 1000 2000 -
Typical Turn-Off Delay Time 6 ns 6 ns 6 ns -
Typical Turn-On Delay Time 2 ns 2 ns 2 ns -
单位重量
Unit Weight
0.016000 oz 0.007760 oz 0.016000 oz -
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