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TN2106K1

MOSFET 60V 2.5Ohm

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Microchip(微芯科技)

厂商官网:https://www.microchip.com

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器件:TN2106K1

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器件参数
参数名称
属性值
Product Attribute
Attribute Value
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHS
N
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
280 mA
Rds On - Drain-Source Resistance
2.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
360 mW
Channel Mode
Enhancement
高度
Height
0.95 mm
长度
Length
2.9 mm
产品
Product
MOSFET Small Signal
Transistor Type
1 N-Channel
类型
Type
FET
宽度
Width
1.3 mm
Fall Time
5 ns
Rise Time
5 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
Typical Turn-Off Delay Time
6 ns
Typical Turn-On Delay Time
3 ns
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz
参数对比
与TN2106K1相近的元器件有:TN2106N3-P014-G、TN2106N3-G、TN2106N3、TN2106N3-P002、TN2106N3-P003、TN2106N3-P013。描述及对比如下:
型号 TN2106K1 TN2106N3-P014-G TN2106N3-G TN2106N3 TN2106N3-P002 TN2106N3-P003 TN2106N3-P013
描述 MOSFET 60V 2.5Ohm MOSFET 60V 2.5Ohm MOSFET 60V 2.5Ohm MOSFET 60V 2.5Ohm MOSFET 60V 2.5Ohm MOSFET 60V 2.5Ohm MOSFET 60V 2.5Ohm
Product Attribute Attribute Value Attribute Value - Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) - Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET - MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET
RoHS N Details - N N N N
技术
Technology
Si Si - Si Si Si Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT Through Hole - Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3 TO-92-3 - TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel - 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel - N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V 60 V - 60 V 60 V 60 V 60 V
Id - Continuous Drain Current 280 mA 300 mA - 300 mA 300 mA 300 mA 300 mA
Rds On - Drain-Source Resistance 2.5 Ohms 2.5 Ohms - 2.5 Ohms 2.5 Ohms 2.5 Ohms 2.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V 20 V - 20 V 20 V 20 V 20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C - - 55 C - 55 C - 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C - + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C
Configuration Single Single - Single Single Single Single
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
360 mW 740 mW - 740 mW 740 mW 740 mW 740 mW
Channel Mode Enhancement Enhancement - Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement
高度
Height
0.95 mm - - 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm
长度
Length
2.9 mm - - 5.21 mm 5.21 mm 5.21 mm 5.21 mm
产品
Product
MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal - MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel - 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel
类型
Type
FET FET - FET FET FET FET
宽度
Width
1.3 mm - - 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm
Fall Time 5 ns 5 ns - 5 ns 5 ns 5 ns 5 ns
Rise Time 5 ns 5 ns - 5 ns 5 ns 5 ns 5 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000 2000 - 1000 2000 2000 2000
Typical Turn-Off Delay Time 6 ns 6 ns - 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns
Typical Turn-On Delay Time 3 ns 3 ns - 3 ns 3 ns 3 ns 3 ns
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz 0.016000 oz - 0.007760 oz 0.007760 oz 0.007760 oz 0.007760 oz
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