TPA3100D2PHPRG4,TPA3100D2PHPRG4 pdf中文资料,TPA3100D2PHPRG4引脚图,TPA3100D2PHPRG4电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与TPA3100D2PHPRG4相近的元器件有：TPA3100D2RGZTG4、TPA3100D2RGZRG4、TPA3100D2RGZT、TPA3100D2RGZR、TPA3100D2PHPR、TPA3100D2PHPG4、TPA3100D2PHP。描述及对比如下：

型号	TPA3100D2PHPRG4	TPA3100D2RGZTG4	TPA3100D2RGZRG4	TPA3100D2RGZT	TPA3100D2RGZR	TPA3100D2PHPR	TPA3100D2PHPG4	TPA3100D2PHP
描述	20-W Stereo Class-D Audio Power Amplifier (TPA3100) 48-HTQFP -40 to 85	20-W Stereo Class-D Audio Power Amplifier (TPA3100) 48-VQFN -40 to 85	20-W Stereo Class-D Audio Power Amplifier (TPA3100) 48-VQFN -40 to 85	20-W Stereo Class-D Audio Power Amplifier (TPA3100) 48-VQFN -40 to 85	20-W Stereo Class-D Audio Power Amplifier (TPA3100) 48-VQFN -40 to 85	20-W Stereo Class-D Audio Power Amplifier (TPA3100) 48-HTQFP -40 to 85	20-W Stereo Class-D Audio Power Amplifier (TPA3100) 48-HTQFP -40 to 85	20-W Stereo Class-D Audio Power Amplifier (TPA3100) 48-HTQFP -40 to 85
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	QFP	QFN	QFN	QFN	QFN	QFP	QFP	QFP
包装说明	HTFQFP, TQFP48,.35SQ	HVQCCN, LCC44,.28SQ,20	HVQCCN, LCC44,.28SQ,20	HVQCCN, LCC44,.28SQ,20	HVQCCN, LCC44,.28SQ,20	HTFQFP, TQFP48,.35SQ	HTFQFP, TQFP48,.35SQ	HTFQFP, TQFP48,.35SQ
针数	48	48	48	48	48	48	48	48
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
标称带宽	22 kHz	22 kHz	22 kHz	22 kHz	22 kHz	22 kHz	22 kHz	22 kHz
商用集成电路类型	AUDIO AMPLIFIER	AUDIO AMPLIFIER	AUDIO AMPLIFIER	AUDIO AMPLIFIER	AUDIO AMPLIFIER	AUDIO AMPLIFIER	AUDIO AMPLIFIER	AUDIO AMPLIFIER
增益	36 dB	36 dB	36 dB	36 dB	36 dB	36 dB	36 dB	36 dB
JESD-30 代码	S-PQFP-G48	S-PQCC-N48	S-PQCC-N48	S-PQCC-N48	S-PQCC-N48	S-PQFP-G48	S-PQFP-G48	S-PQFP-G48
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4
长度	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3
信道数量	2	2	2	2	2	2	2	2
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	48	48	48	48	48	48	48
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
标称输出功率	20 W	20 W	21.8 W	20 W	21.8 W	21.8 W	20 W	21.8 W
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HTFQFP	HVQCCN	HVQCCN	HVQCCN	HVQCCN	HTFQFP	HTFQFP	HTFQFP
封装等效代码	TQFP48,.35SQ	LCC44,.28SQ,20	LCC44,.28SQ,20	LCC44,.28SQ,20	LCC44,.28SQ,20	TQFP48,.35SQ	TQFP48,.35SQ	TQFP48,.35SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, FINE PITCH	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	FLATPACK, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	12/24 V	12/24 V	12/24 V	12/24 V	12/24 V	12/24 V	12/24 V	12/24 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大压摆率	26 mA	26 mA	26 mA	26 mA	26 mA	26 mA	26 mA	26 mA
最大供电电压 (Vsup)	26 V	26 V	26 V	26 V	26 V	26 V	26 V	26 V
最小供电电压 (Vsup)	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm	7 mm
是否无铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	-	-	Texas Instruments(德州仪器)	-
Factory Lead Time	12 weeks	12 weeks	-	1 week	1 week	12 weeks	12 weeks	1 week

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一种新的嵌入式处理器在线调试方法

引言在FPGA 设计中使用嵌入式处理器软核( 如MicroBlaze、PicoBlaze 等) 构成可编程片上系统( SystemOn Programmable Chip，SOPC) ，相比于ASIC 具有更好的可修改性和可维护性，得到了普遍的应用。由于ARM，MicroBlaze 等大型处理器内核具备调试接口，在与之对应的调试模块配合下，调试软件可以通过JTAG 接口实现: 执行到断点处挂起...[详细]
Dino Rambidis就任LeddarTech首席财务官

1级至5级自动驾驶车辆和高级驾驶辅助系统环境感应解决方案的行业领导者LeddarTech®很自豪地宣布任命Dino Rambidis先生为首席财务官，自2020年9月2日起生效。 Rambidis先生曾在多个行业（特别是金融领域）的上市公司和私营企业担任高级财务管理职位，积累了近30年的丰富经验。在加入LeddarTech之前，Rambidis先生曾在Stornoway Diamond Co...[详细]
怎样选择光时域反射仪

光时域反射仪（OTDR）是光纤线路测试和验收中非常重要的工具，借助于OTDR，技术人员能够看到整个系统轮廓，识别并测量光纤的跨度、接续点和连接头。在诊断光纤故障的仪表中，OTDR是最经典的，也是最昂贵的仪表。与光功率计和光万用表的两端测试不同，OTDR仅通过光纤的一端就可测得光纤损耗。OTDR轨迹线给出系统衰减值的位置和大小，如：任何连接器、接续点、光纤异形、或光纤断点的位置及其损耗大小。 ...[详细]
TFT-LCD技术及生产工艺流程简介

概述　　TFT（Thin Film Transistor）LCD即薄膜场效应晶体管LCD，是有源矩阵类型液晶显示器（AM-LCD）中的一种。液晶平板显示器，特别TFT-LCD，是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过CRT的显示器件，它的性能优良、大规模生产特性好，自动化程度高，原材料成本低廉，发展空间广阔，将迅速成为新世纪的主流产品，是21世纪全球经济...[详细]
物联网智能社会图景，传感器仍是关键

在物联网的迅速发展中，传感器起到了关键的作用，在新兴的物联网市场中，传感器也是重要的竞争方向。下面就随我同学小编一起来了解一下相关内容吧。传感器，作为智慧城市的关键零部件，被应用到城市的各个行业，其市场需求也随之飙升。四川成都利用传感器监测施工现场的灰尘含量;绍兴雨水立管智能监测系统，解决市民生活中乱排污水问题，这些仅是智慧城市用到传感器的“冰山一角”。数据显示，至2021年传感器市场将达一百...[详细]
车载信息服务系统发展模式剖析

车联网是物联网技术在交通领域的典型应用，随着市场成熟的提高，其内涵也被进一步拓展。本文讨论的是狭义的车联网，即 Telematics 服务（车载信息服务系统），是指通过车机端，把用户与各种服务资源整合在一起的服务系统。文章通过对现有车联网几种发展模式的梳理与辨析，试图寻找车联网未来正确发展道路。本文来自 2016 年 10 年 10 日出版的《上海汽车》，作者是上汽集团的闫枫。 ...[详细]
四位数码管显示2012的汇编语言与C语言

其对应的C应用如下： #include reg51.h sbit p20=P2^0; sbit p21=P2^1; sbit p22=P2^2; sbit p23=P2^3; void delay(unsigned int z) { while(z--); } void main() { P2=0x00; while(1) { p20=1; P0=0XA4; delay(50...[详细]
要全面涨价？三星S9、S9 Plus曝光：配置差别更大

消费大升级时代，用户不吝惜接受那些价格高的产品，当然前提条件下其价值要能支撑起售价，回到手机圈，今年各厂商的主旋律依然是涨价，特别是旗舰机。　　在旗舰机的策略上，安卓阵营的老大哥三星一直都效仿苹果，采用双旗舰策略，所以每年的Galaxy S系列旗舰机上，他们也都会准备一大一小的手机，而今年的S9也不例外。　　据外媒GeekSnipper报道称，三星今年要调整相关策略，简单理解就是，...[详细]
一辆车到底要用到多少个 MOSFET ?

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 MOSFET最早出现在大概上世纪60年代，首先出现在模拟电路的应用。功率MOSFET在上世纪80年代开始兴起...[详细]
智能电视何以智能？创维天赐系统全面解析

智能电视何以智能?是智能应用?还是电视智商?还是操作智能程度?创维说，这些都不是!创维近期推出“天赐”系统将智能电视的竞争点从之前公众所集中注意的智能应用拉回了位于智能架构中最底层确实最重要的智能系统方面。　　拿众所周知的“冰山理论”形容智能电视各个方面来说，最开始提到的智能应用、电视智商、智能操作可以看做是露出的那一部分，而智能系统则可以比作是隐藏于水面下方部分。所以本次，创维选择推出...[详细]
诞生11年，入华9年，智慧城市迈向3.0模式

城市本身不仅是城市，它还可以是一门生意。 2019年，随着5G、AI、云计算等技术不断重新定义着城市的观念，这个冷门生意开始火了起来。不管是互联网巨头还是传统IT企业运营商，今年都一致地瞄准了智慧城市，不断加码。如果说十年前智慧城市还停留在空中楼阁，那么现在，智慧城市建设经过前两年的爆发，已经进入到了理性探索阶段，逐步走向了落地。 2019年，是智慧城市厂商之间的较量。智慧...[详细]
STM32时钟配置方法详解

一、在STM32中，有五个时钟源，为HSI、HSE、LSI、LSE、PLL。 ①HSI是高速内部时钟，RC振荡器，频率为8MHz。 ②HSE是高速外部时钟，可接石英/陶瓷谐振器，或者接外部时钟源，频率范围为4MHz~16MHz。 ③LSI是低速内部时钟，RC振荡器，频率为40kHz。 ④LSE是低速外部时钟，接频率为32.768kHz的石英晶体。 ⑤PLL为锁相环倍频输出，其时钟输入源可选...[详细]
南韩订2022年全球电源管理IC市占率目标

南韩订立2025年其于全球系统IC产值排名上扬至第二名目标，为此，南韩除展开应用处理器(Application Processor；AP)核心架构自制计划外，亦将研发电源管理IC(Power Management IC；PMIC)技术列为重点之一，南韩计划2022年其PMIC产值达到100亿美元，且于全球PMIC市占率上扬至14%，南韩将投入3,230亿韩元(约3.2亿美元)展开相关研发...[详细]
美高森美延续在FPGA安全启动领域的领导地位

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伺服电机低惯量和高惯量的区别是什么

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