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TPS2815DR

Two input NAND, Dual High-Speed MOSFET Drivers 8-SOIC -40 to 125

器件类别:模拟混合信号IC    驱动程序和接口   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

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供应商:

器件:TPS2815DR

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP, SOP8,.25
针数
8
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
6 weeks
其他特性
ALSO REQUIRES 8V TO 40 V REGULATOR INPUT SUPPLY
高边驱动器
YES
输入特性
SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型
NAND GATE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e4
长度
4.9 mm
湿度敏感等级
1
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
输出特性
TOTEM-POLE
最大输出电流
2 A
标称输出峰值电流
2 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
10 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
最大压摆率
0.005 mA
最大供电电压
14 V
最小供电电压
4 V
标称供电电压
10 V
表面贴装
YES
技术
BIMOS
温度等级
AUTOMOTIVE
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
断开时间
0.05 µs
接通时间
0.05 µs
宽度
3.9 mm
Base Number Matches
1
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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