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TS372N

DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 600ns RESPONSE TIME, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP8,.3
针数
8
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
放大器类型
COMPARATOR
最大输入失调电压
10000 µV
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e0
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
标称响应时间
600 ns
座面最大高度
5.08 mm
最大压摆率
1 mA
供电电压上限
12 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
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参数对比
与TS372N相近的元器件有:TS372MJ、TS372D。描述及对比如下:
型号 TS372N TS372MJ TS372D
描述 DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 600ns RESPONSE TIME, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 600ns RESPONSE TIME, CDIP8, CERDIP-8 DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 600ns RESPONSE TIME, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 DIP DIP SOIC
包装说明 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25
针数 8 8 8
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 COMPARATOR COMPARATOR COMPARATOR
最大输入失调电压 10000 µV 10000 µV 10000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-CDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0 e0
功能数量 2 2 2
端子数量 8 8 8
最高工作温度 70 °C 125 °C 70 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称响应时间 600 ns 600 ns 600 ns
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 1.75 mm
最大压摆率 1 mA 1 mA 1 mA
供电电压上限 12 V 12 V 12 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm
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器件捷径:
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