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DUAL OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8
厂商名称：ST(意法半导体)
厂商官网：http://www.st.com/
下载文档| 型号 | TS3V912IDT | TS3V912AIDT | TS3V912BIDT |
|---|---|---|---|
| 描述 | DUAL OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8 | DUAL OP-AMP, 7000uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8 | DUAL OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | SOP, | SOP, | SOP, |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0003 µA | 0.0003 µA | 0.0003 µA |
| 标称共模抑制比 | 80 dB | 80 dB | 80 dB |
| 最大输入失调电压 | 12000 µV | 7000 µV | 3000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 4.9 mm | 4.9 mm | 4.9 mm |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm | 1.75 mm |
| 标称压摆率 | 0.4 V/us | 0.4 V/us | 0.4 V/us |
| 最大压摆率 | 0.8 mA | 0.8 mA | 0.8 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 800 kHz | 800 kHz | 800 kHz |
| 宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm | 3.9 mm |
