TS5A2066DCURG4,TS5A2066DCURG4 pdf中文资料,TS5A2066DCURG4引脚图,TS5A2066DCURG4电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与TS5A2066DCURG4相近的元器件有：TS5A2066DCTRE4、TS5A2066DCTRG4、TS5A2066DCURE4、TS5A2066YZPR。描述及对比如下：

型号	TS5A2066DCURG4	TS5A2066DCTRE4	TS5A2066DCTRG4	TS5A2066DCURE4	TS5A2066YZPR
描述	Dual-Channel 10-Ohm SPST Analog Switch 8-VSSOP -40 to 85	Dual-Channel 10-Ohm SPST Analog Switch 8-SM8 -40 to 85	Analog Switch ICs Dual-Channel 10-Ohm SPST Analog Switch	Dual-Channel 10-Ohm SPST Analog Switch 8-VSSOP -40 to 85	Dual-Channel 10-Ohm SPST Analog Switch 8-DSBGA -40 to 85
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	BGA
包装说明	VSSOP-8	LSSOP, SSOP8,.16	LSSOP, SSOP8,.16	VSSOP-8	VFBGA, BGA8,2X4,20
针数	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	compli	unknow	compli	compli
模拟集成电路 - 其他类型	SPST	SPST	SPST	SPST	SPST
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-XBGA-B8
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e1
长度	2.3 mm	2.95 mm	2.95 mm	2.3 mm	1.9 mm
湿度敏感等级	1	1	1	1	1
正常位置	NO	NO	NO	NO	NO
信道数量	1	1	1	1	1
功能数量	2	2	2	2	2
端子数量	8	8	8	8	8
标称断态隔离度	68 dB	68 dB	68 dB	68 dB	68 dB
通态电阻匹配规范	0.9 Ω	0.9 Ω	0.9 Ω	0.9 Ω	0.9 Ω
最大通态电阻 (Ron)	120 Ω	120 Ω	120 Ω	120 Ω	120 Ω
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED
封装代码	VSSOP	LSSOP	LSSOP	VSSOP	VFBGA
封装等效代码	TSSOP8,.12,20	SSOP8,.16	SSOP8,.16	TSSOP8,.12,20	BGA8,2X4,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
电源	1.8/5 V	1.8/5 V	1.8/5 V	1.8/5 V	1.8/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	0.9 mm	1.3 mm	1.3 mm	0.9 mm	0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
最长断开时间	5.2 ns	5.2 ns	5.2 ns	5.2 ns	5.2 ns
最长接通时间	11.5 ns	11.5 ns	11.5 ns	11.5 ns	11.5 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL
端子节距	0.5 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	2 mm	2.8 mm	2.8 mm	2 mm	0.9 mm
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	-	Texas Instruments	Texas Instruments
Factory Lead Time	6 weeks	6 weeks	-	6 weeks	1 week
标称带宽	400 MHz	400 MHz	-	400 MHz	400 MHz
最大输入电压	5.5 V	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V
输出	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT	-	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT
最大供电电流 (Isup)	0.01 mA	0.01 mA	-	0.01 mA	0.01 mA

Help！FPGA: Modelsim 中写了个测试文件，出现如下错误，那位大神能解决一下啊！ ** Error: ...; mengfk11 FPGA/CPLD

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电源电路损耗问题的解决方案

您是否曾详细计算过设计中的预计组件损耗，结果却发现与实验室测量结果有较大出入呢?本电源设计小贴士介绍了一种简便方法，以帮助您消除计算结果与实际测量结果之间的差异。该方法基于泰勒级数展开式，其中规定(在赋予一定自由条件下)任何函数都可分解成一个多项式，如下所示：如果意识到电源损耗与输出电流相关(可用输出电流替换 X)，那么系数项就能很好地与不同来源的电源功率损耗联系起来。例如，ao 代表诸...[详细]
或推出后续版本黑莓Priv在美亚竟卖断货

最近几个月，黑莓凭借首款Android系统智能手机Priv的亮相再火了一把，尤其是该机所采用的滑盖式全键盘造型以及双曲面侧屏，还是吸引了大批用户的关注。不过该机高达699美元的预售价格，还是让不少人高呼hold不住。近日，有消息称该机在官网已经因为需求强劲而推迟发货，这也在一定程度上反映了该机的受欢迎程度。而就在昨天，美亚再次传来了黑莓Priv几小时内卖断货的消息，再次说明了黑莓Priv的...[详细]
机器人可自动探查活体脑细胞内部运作

据物理学家组织网近日报道，美国麻省理工学院和佐治亚理工学院研究人员开发出利用机器人操纵来自动发现和记录活体大脑中神经元信息的方法，即用一种全细胞膜片钳制动一个微小的空心玻璃针，在神经细胞的膜上开孔，以记录其内部电活性。该研究成果刊登在5月6日《自然·方法》期刊上。　　这种深入大脑中神经元内部运作的方式可提供大量有用的信息，如电活性模式、细胞内部状况、甚至基因在某一时刻被闭合的剖面。然而，...[详细]
2009年MEMS惯性传感器现状及2010年趋势

MEMS技术最早由Richard Pfeynman（1965年获得诺贝尔物理奖），在1959年提出设想。1962年硅微型压力传感器问世。　　1979年Roylance和Angell开始压阻式微加速计的研制。1991年Cole开始电容式微加速度计的研制。　　惯性传感器包括加速度计（或加速度传感计）和角速度传感器（陀螺）以及它们的单、双、三轴组合IMU（惯性测量单元），AHRS（包括磁传...[详细]
光刻机霸主ASML未来的道路该怎么走

在光刻机领域，ASML是当今毋庸置疑的霸主。从1984年由飞利浦和ASM合资成立的一家小公司，到将昔日光刻机大国美国和日本拉下神坛的商业巨头，ASML只用了短短二十年的时间。据彭博数据显示，在45nm以下高端光刻机设备市场，ASML占据市场份额高达80%以上，在极紫外光(EUV)领域，ASM是独家生产者，实现了全球独家垄断。辉煌鼎盛如斯，照此势头发展，ASML的未来基本上可以“...[详细]
【MPC5744P】内部Flash读写

MPC5744P内部Flash相当大，除了存储代码，多余的空间还可以另作它用，例如参数存储，故障存储，当然，Bootloader也是依赖于Flash读写。内部Flash的结构请参考上一篇关于Flash结构及启动原理的说明：https://blog.csdn.net/u010875635/article/details/85162135 读取：一次读取256位。擦除：一次擦除一个b...[详细]
工业、汽车、物联网全面开花，看ROHM如何改变世界！

为期三天的慕尼黑上海电子展圆满闭幕，此次电子展规模庞大，电子类展品众多。本届展览规模和品质再次升级，来自20个国家的1,200多家展商集聚一堂，展示面积达62,000平方米，预计有超过56,000名的行业精英和买家将共赴此次盛会。同时，展会将聚焦热门应用领域，包括电子技术在工业4.0、汽车、物联网、医疗等各个领域的创新。作为目前国内最大规模的综合类电子行业展会， 2016慕...[详细]
指尖上的内置式电容触摸界面MCU

　随着苹果，三星等最热最炫最潮的智能手机平板电脑进入大家日常生活，低功耗电容触摸解决方案也渐渐被大家所了解。消费电子和工业电子产品上采用电阻触摸技术和电容触摸技术很多，但是最近几年电容式触摸技术应用发展最快。工业电子应用领域有越来越多的人机交互解决方案，也是采用电容触摸解决方案。特别是灰尘、水雾及电磁强光信号干扰等恶劣工作条件下，选择安全可靠，集成度高，容易扩展，超低成本的内置式电容触摸界面MC...[详细]
韩国研发出电池新材料2分钟完成充电

　　韩国蔚山科学技术大学和LG化学技术研究院电池研究所8月15日发表声明称，开发出了2分钟内完成充电或者放电的充电电池(Secondary Battery)电极用的新材料。手机或电动车用电池不仅能大举缩短充电时间，而且可以在短时间内通过大量放电，较好地提高电动车的输出功率。　　报道称，“制作充电电池的新材料称之为“纳米管”，是在十分纤细的锗(Germanium，Ge)线表面抹上极微量的锑(...[详细]
高通推出带集成接收分集和GPS功能的CMOS UMTS收发机

高通公司日前发布了带接收分集和GPS功能的单芯片UMTS射频互补型金属氧化物半导体(CMOS)收发信机RTR6285，该器件是带接收分集和GPS功能的多模UMTS/EGPRS收发信机，以多频段UMTS和四频段EGPRS提供全球漫游。在RTR 6285收发信机上集成接收分集功能可以将网络容量提高50%，将HSDPA的平均数据吞吐量提高100%。集成GPS功能则可以满足对定位和紧急服务的需求，同时通...[详细]
集成电路产业下半年呈现三大走势

在市场需求增长和核心产品价格上涨双重作用下，我国集成电路进出口金额和数量均大幅上涨。据海关数据显示，2017年1-5月，我国集成电路进口金额达到954.8亿美元，同比增长17.9%；出口256.6亿美元，同比增长11.3%。赛迪智库集成电路研究所近日发布的《2017年下半年中国集成电路产业走势分析与判断》预计，下半年中国集成电路产业规模将进一步增长。随着半导体行业迎来传统旺季，集成电路产业将继...[详细]
技术成果标榜“世界级” 丹邦科技引深交所关注

近日，深圳丹邦科技股份有限公司(002618.SZ，下称“丹邦科技”)再次收到深交所关注函。这也是在2018年以来，丹邦科技收到深交所的第四份关注函。　　上述关注函中，深交所主要聚焦于丹邦科技的TPI薄膜碳化技术改造项目、第二大股东减持股份、2017年财报等相关内容。　　值得关注的是，丹邦科技近年业绩表现并不尽如人意，盈利能力呈现下滑趋势。其中，营收规模从2014年的5亿元缩减至201...[详细]
浅析封闭式开关柜在线测温技术

在建设变电站之前，供电企业要对其建设成本进行控制，由于变电站的数量比较多，因此，我们看到的大多数变电站的规模都是很小的。随着全封闭式的电气设备的广泛使用，使得封闭式开关柜设备的在线测温越来越困难。如果电气设备运行的负荷增加，超出了规划的预期，则有可能导致电气设备出现系统故障，从而破坏电力系统稳定性。本文即探究封闭式开关柜在线测温技术。 1 电气设备在线测温的作用和意义不管是 XGN 型开关...[详细]
IC Insights:2015年IC厂商晶圆产能排行

市场研究机构IC Insights发布最新全球晶圆产能预测报告(Global Wafer Capacity 2016~2020)，其中包含全球二十五大IC制造商排行榜(以截至2015年12月的已安装产能为准)；前十大厂商中，总部位于美国的有4家，来自韩国与台湾的分别有2家，日本与欧洲各1家。这些厂商包括4家全球最大的记忆体供应商、3家纯晶圆代工业者，全球最大的微处理器供应商，还有两大类比...[详细]
英飞凌将参加2024年慕尼黑国际电子元器件博览会，展示低碳化和数字化解决方案

英飞凌将展示环保、安全和智能交通出行领域，以及绿色和智慧生活空间领域的创新解决方案英飞凌将展示其半导体解决方案如何实现AI应用的快速、高效和可扩展部署英飞凌将首次向公众展示全球首款300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆【2024年10月31日, 德国慕尼黑讯】在即将到来的慕尼黑国际电子元器件博览会（electronica 2024）上，英飞凌科技股份公司将展示其创新的解决...[详细]