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U630H64BS2K35

Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP2-28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP, SOP28,.5
针数
28
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
35 ns
JESD-30 代码
R-PDSO-G28
JESD-609代码
e0
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
NON-VOLATILE SRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
8KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP28,.5
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
240
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
2.85 mm
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
8.405 mm
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器件捷径:
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