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UPD44324365F5-E50-EQ2

DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165

器件类别:存储    存储   

厂商名称:NEC(日电)

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
NEC(日电)
包装说明
13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165
Reach Compliance Code
compliant
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
JESD-609代码
e0
长度
15 mm
内存密度
37748736 bit
内存集成电路类型
DDR SRAM
内存宽度
36
功能数量
1
端子数量
165
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX36
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.51 mm
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
13 mm
流水灯
#include reg52.h #include intrins.h #define uint ...
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