参数对比
与US1J相近的元器件有:US1K、US1B、US1G、US1D。描述及对比如下:
型号 |
US1J |
US1K |
US1B |
US1G |
US1D |
描述 |
Rectifier Diode, |
Rectifier Diode, |
Rectifier Diode, |
Rectifier Diode, |
Rectifier Diode, |
是否Rohs认证 |
符合 |
符合 |
符合 |
符合 |
符合 |
包装说明 |
R-PDSO-C2 |
R-PDSO-C2 |
SMA, 2 PIN |
SMA, 2 PIN |
SMA, 2 PIN |
Reach Compliance Code |
compliant |
compliant |
compliant |
compliant |
compliant |
其他特性 |
LOW POWER LOSS |
LOW POWER LOSS |
LOW POWER LOSS |
LOW POWER LOSS |
LOW POWER LOSS |
配置 |
SINGLE |
SINGLE |
SINGLE |
SINGLE |
SINGLE |
二极管元件材料 |
SILICON |
SILICON |
SILICON |
SILICON |
SILICON |
二极管类型 |
RECTIFIER DIODE |
RECTIFIER DIODE |
RECTIFIER DIODE |
RECTIFIER DIODE |
RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 |
R-PDSO-C2 |
R-PDSO-C2 |
R-PDSO-C2 |
R-PDSO-C2 |
R-PDSO-C2 |
元件数量 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
端子数量 |
2 |
2 |
2 |
2 |
2 |
最高工作温度 |
150 °C |
150 °C |
150 °C |
150 °C |
150 °C |
最低工作温度 |
-55 °C |
-55 °C |
-55 °C |
-55 °C |
-55 °C |
最大输出电流 |
1 A |
1 A |
1 A |
1 A |
1 A |
封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
封装形状 |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
封装形式 |
SMALL OUTLINE |
SMALL OUTLINE |
SMALL OUTLINE |
SMALL OUTLINE |
SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压 |
600 V |
800 V |
100 V |
400 V |
200 V |
最大反向恢复时间 |
0.075 µs |
0.075 µs |
0.05 µs |
0.05 µs |
0.05 µs |
表面贴装 |
YES |
YES |
YES |
YES |
YES |
端子形式 |
C BEND |
C BEND |
C BEND |
C BEND |
C BEND |
端子位置 |
DUAL |
DUAL |
DUAL |
DUAL |
DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
厂商名称 |
- |
- |
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd |
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd |
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd |