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V54C3128164VEI7I

Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, GREEN, TSOP2-54

器件类别：存储存储

厂商名称：ProMOS Technologies Inc

器件标准： Rohs认证无铅标识

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

Objectid

1342625651

零件包装代码

TSOP2

包装说明

TSOP2,

针数

54

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

访问模式

FOUR BANK PAGE BURST

最长访问时间

5.4 ns

其他特性

AUTO/SELF REFRESH

JESD-30 代码

R-PDSO-G54

长度

22.38 mm

内存密度

134217728 bit

内存集成电路类型

SYNCHRONOUS DRAM

内存宽度

16

功能数量

1

端口数量

1

端子数量

54

字数

8388608 words

字数代码

8000000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

8MX16

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TSOP2

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

座面最大高度

1.2 mm

自我刷新

YES

最大供电电压 (Vsup)

3.6 V

最小供电电压 (Vsup)

3 V

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子形式

GULL WING

端子节距

0.8 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

宽度

10.16 mm

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