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V58C2256164SCLS7

DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, MO-233, FBGA-60

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ProMOS Technologies Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ProMOS Technologies Inc
零件包装代码
BGA
包装说明
TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数
60
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.75 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
143 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
2,4,8
JESD-30 代码
R-PBGA-B60
JESD-609代码
e0
长度
13 mm
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
60
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16MX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TBGA
封装等效代码
BGA60,9X12,40/32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
2.5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
2,4,8
最大供电电压 (Vsup)
2.7 V
最小供电电压 (Vsup)
2.3 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
8 mm
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