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V58C2256804SHLR5E

DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, MO-233, FBGA-60

器件类别：存储存储

厂商名称：ProMOS Technologies Inc

器件标准： Rohs认证

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

ProMOS Technologies Inc

零件包装代码

BGA

包装说明

TBGA,

针数

60

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

其他特性

AUTO/SELF REFRESH

JESD-30 代码

R-PBGA-B60

长度

13 mm

内存密度

268435456 bit

内存集成电路类型

DDR DRAM

内存宽度

8

功能数量

1

端口数量

1

端子数量

60

字数

33554432 words

字数代码

32000000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

125 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

32MX8

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TBGA

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, THIN PROFILE

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.2 mm

自我刷新

YES

最大供电电压 (Vsup)

2.7 V

最小供电电压 (Vsup)

2.3 V

标称供电电压 (Vsup)

2.5 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

AUTOMOTIVE

端子形式

BALL

端子节距

1 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

宽度

8 mm

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