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V58C2512804SBI5

DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ProMOS Technologies Inc

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ProMOS Technologies Inc
零件包装代码
TSSOP2
包装说明
TSSOP, TSSOP66,.46
针数
66
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.7 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
200 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G66
长度
22.22 mm
内存密度
536870912 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
66
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
64MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSSOP66,.46
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
2.6 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
2,4,8
最大待机电流
0.01 A
最大供电电压 (Vsup)
2.7 V
最小供电电压 (Vsup)
2.5 V
标称供电电压 (Vsup)
2.6 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10.16 mm
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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