V58C2512(804/404/164)SD
HIGH PERFORMANCE 512 Mbit DDR SDRAM
4 BANKS X 16Mbit X 8 (804)
4 BANKS X 32Mbit X 4 (404)
4 BANKS X 8Mbit X 16 (164)
4
DDR500
Clock Cycle Time (t
CK2.5
)
Clock Cycle Time (t
CK3
)
System Frequency (f
CK max
)
-
4ns
250 MHz
5
DDR400
6ns
5ns
200 MHz
6
DDR333
6ns
-
166 MHz
75
DDR266
7.5ns
-
133 MHz
Features
-
-
-
-
-
-
Description
The V58C2512(804/404/164)SD is a four bank DDR
DRAM organized as 4 banks x 16Mbit x 8 (804), 4 banks x
32Mbit x 4 (404), 4 banks x 8Mbit x 16 (164). The
V58C2512(804/404/164)SD achieves high speed data
transfer rates by employing a chip architecture that
prefetches multiple bits and then synchronizes the output
data to a system clock.
All of the control, address, circuits are synchronized
with the positive edge of an externally supplied clock. I/O
transactions are occurring on both edges of DQS.
Operating the four memory banks in an interleaved
fashion allows random access operation to occur at a
higher rate than is possible with standard DRAMs. A se-
quential and gapless data rate is possible depending on
burst length, CAS latency and speed grade of the device.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
High speed data transfer rates with system frequency
up to 250MHz
Data Mask for Write Control
Four Banks controlled by BA0 & BA1
Programmable CAS Latency: 2.5, 3
Programmable Wrap Sequence: Sequential
or Interleave
Programmable Burst Length:
2, 4, 8 for Sequential Type
2, 4, 8 for Interleave Type
Automatic and Controlled Precharge Command
Power Down Mode
Auto Refresh and Self Refresh
Refresh Interval: 8192 cycles/64 ms
Available in 60 Ball FBGA AND 66 Pin TSOP II
SSTL-2 Compatible I/Os
Double Data Rate (DDR)
Bidirectional Data Strobe (DQS) for input and output
data, active on both edges
On-Chip DLL aligns DQ and DQs transitions with CK
transitions
Differential clock inputs CK and CK
Power Supply 2.5V ± 0.2V
tRAS lockout supported
Concurrent auto precharge option is supported
Device Usage Chart
Operating
Temperature
Range
0°C to 70°C
Package Outline
JEDEC 66 TSOP II
60 FBGA
•
CK Cycle Time (ns)
-4
•
Power
-75
•
-5
•
-6
•
Std.
•
L
•
Temperature
Mark
Blank
V58C2512(804/404/164)SD Rev.1.6 May 2010
1
ProMOS TECHNOLOGIES
Part Number Information
V58C2512(804/404/164)SD
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
11
12
13
14
15
16 17 18
19
V
ProMOS
5 8
C
2
5 1 2 8 0
ORGANIZATION
& REFRESH
32Mx4, 4K : 12840
16Mx8, 4K : 12880
64Mx4, 8K : 25640
32Mx8, 8K : 25680
16Mx16, 8K : 25616
8Mx32, 4K : 25632
32Mx16, 8K : 51216
64Mx16, 8K : G0116
8Mx16, 4K : 12816
4
S
D
I
5
TEMPERATURE
BLANK:
0 - 70
-40 - 85
-40 - 105
-40 - 125
5D : 200MHz @CL2-3-3
45 : 220MHz @CL3-3-3
4 : 250MHz @CL3-3-3
36 : 275MHz @CL4-4-4
33 : 300MHz @CL4-4-4
TYPE
58 : DDR
128Mx4, 8K : 51240
64Mx8, 8K : 51280
256Mx4, 8K : G0140
128Mx8, 8K : G0180
I:
H:
E:
SPEED
8 : 125MHz @CL3-3-3
75 : 133MHz @CL2.5-3-3
7 : 133MHz @CL2-2-2
CMOS
VOLTAGE
2:
2.5 V
BANKS
2 : 2 BANKS
4 : 4 BANKS
8 : 8 BANKS
I/O
S: SSTL_2
REV CODE
6 : 166MHz @CL2.5-3-3
5 : 200MHz @CL3-3-3
5B : 200MHz @CL2.5-3-3
PACKAGE
SPECIAL FEATURE
L : LOW POWER GRADE
U : ULTRA LOW POWER GRADE
H
I
J
RoHS GREEN PACKAGE
DESCRIPTION
TSOP
FBGA
144-BGA
*RoHS: Restriction of Hazardous Substances
*GREEN: RoHS-compliant and Halogen-Free
V58C2512(804/404/164)SD Rev. 1.6 May 2010
2
ProMOS TECHNOLOGIES
60-Ball FBGA PIN OUT
V58C2512(804/404/164)SD
(x4)
1
V
SSQ
NC
NC
NC
NC
V
REF
2
NC
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
SS
CK
A
12
A
11
A
8
A
6
A
4
3
V
SS
DQ
3
NC
DQ
2
DQS
DM
CK
CKE
A
9
A
7
A
5
V
SS
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
7
V
DD
DQ
0
NC
DQ
1
NC
NC
WE
RAS
BA
1
A
0
A
2
V
DD
8
NC
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
DD
CAS
CS
BA
0
AP/A
10
A
1
A
3
9
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
(x8)
1
V
SSQ
NC
NC
NC
NC
V
REF
2
DQ
7
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
SS
CK
A
12
A
11
A
8
A
6
A
4
3
V
SS
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQS
DM
CK
CKE
A
9
A
7
A
5
V
SS
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
7
V
DD
DQ1
DQ2
DQ3
NC
NC
WE
RAS
BA
1
A
0
A
2
V
DD
8
DQ
0
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
DD
CAS
CS
BA
0
AP/A
10
A
1
A
3
9
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
X4 Device Ball Pattern
X8 Device Ball Pattern
(x16)
1
V
SSQ
2
DQ
15
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
SS
CK
A
12
A
11
A
8
A
6
A
4
3
V
SS
DQ
13
DQ
11
DQ
9
UDQS
UDM
CK
CKE
A
9
A
7
A
5
V
SS
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
7
V
DD
DQ
2
DQ
4
DQ
6
LDQS
LDM
WE
RAS
BA
1
A
0
A
2
V
DD
8
DQ
0
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
DD
CAS
CS
BA
0
AP/A
10
A
1
A
3
9
PIN A1 INDEX
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
TOP VIEW
(See the ball through the package)
7
8
9
V
DDQ
DQ
1
DQ
3
DQ
5
DQ
7
NC
DQ
14
DQ
12
DQ
10
DQ
8
V
REF
X16 Device Ball Pattern
V58C2512(804/404/164)SD Rev. 1.6 May 2010
3
ProMOS TECHNOLOGIES
66 Pin Plastic TSOP-II
PIN CONFIGURATION
32Mb x 16
64Mb x 8
128Mb x 4
V
DD
DQ
0
V
DDQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
DDQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
DQ
7
NC
V
DDQ
LDQS
NC
V
DD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
V
DD
DQ
0
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
DQ
3
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
V
DD
NC
V
DDQ
NC
DQ
0
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP/A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
66 PIN TSOP (II)
13
(400mil x 875 mil)
14
15
Bank Address
BA
0
-BA
1
16
17
Row Address
18
A
0
-A
12
19
20
Auto Precharge
A
10
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
V
SS
NC
V
SSQ
NC
DQ
3
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
DQS
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
V58C2512(804/404/164)SD
V
SS
DQ
7
V
SSQ
NC
DQ
6
V
DDQ
NC
DQ
5
V
SSQ
NC
DQ
4
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
DQS
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
14
DQ
13
V
DDQ
DQ
12
DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
DDQ
DQ
8
NC
V
SSQ
UDQS
NC
V
REF
V
SS
UDM
CK
CK
CKE
NC
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
AP/A
10
AP/A
10
Pin Names
CK, CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQS (UDQS, LDQS)
A
0
–A
12
BA
0
, BA
1
Differential Clock Input
Clock Enable
Chip Select
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Data Strobe (Bidirectional)
Address Inputs
Bank Select
DQ’s
DM (UDM, LDM)
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
NC
V
REF
Data Input/Output
Data Mask
Power
Ground
Power for I/O’s
Ground for I/O’s
Not connected
Reference Voltage for Inputs
V58C2512(804/404/164)SD Rev. 1.6 May 2010
4
ProMOS TECHNOLOGIES
Block Diagram
V58C2512(804/404/164)SD
64M x 8
Column Addresses
A
0
- A9, A
11
, AP, BA
0
, BA
1
Row Addresses
A
0
- A
12
, BA
0
, BA
1
Column address
counter
Column address
buffer
Row address
buffer
Refresh Counter
Row decoder
Memory array
Column decoder
Sense amplifier & I(O) bus
Row decoder
Memory array
Bank 1
Row decoder
Memory array
Bank 2
Row decoder
Memory array
Bank 3
Bank 0
8192 x 2048
Column decoder
Sense amplifier & I(O) bus
8192 x 2048
Column decoder
Sense amplifier & I(O) bus
8192 x 2048
Column decoder
Sense amplifier & I(O) bus
8192 x 2048
Input buffer
Output buffer
Control logic & timing generator
DQ
0
-DQ
7
RAS
CAS
WE
CK
CK
DLL
Strobe
Gen.
CS
CK, CK
CKE
DM
DQS
Data Strobe
V58C2512(804/404/164)SD Rev. 1.6 May 2010
5
