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V59C1512408QAUF19

DDR DRAM, 128MX4, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ProMOS Technologies Inc

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ProMOS Technologies Inc
零件包装代码
BGA
包装说明
TFBGA,
针数
68
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-PBGA-B68
长度
17 mm
内存密度
536870912 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
68
字数
134217728 words
字数代码
128000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
组织
128MX4
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
9 mm
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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