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V59C1G01808QAUF19A

DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68

器件类别：存储存储

厂商名称：ProMOS Technologies Inc

器件标准： Rohs认证无铅标识

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

厂商名称

ProMOS Technologies Inc

零件包装代码

BGA

包装说明

TFBGA,

针数

68

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

访问模式

MULTI BANK PAGE BURST

其他特性

AUTO/SELF REFRESH

JESD-30 代码

R-PBGA-B68

长度

17 mm

内存密度

1073741824 bit

内存集成电路类型

DDR DRAM

内存宽度

8

功能数量

1

端口数量

1

端子数量

68

字数

134217728 words

字数代码

128000000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

组织

128MX8

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TFBGA

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.2 mm

自我刷新

YES

最大供电电压 (Vsup)

1.9 V

最小供电电压 (Vsup)

1.7 V

标称供电电压 (Vsup)

1.8 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

OTHER

端子形式

BALL

端子节距

0.8 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

宽度

9 mm

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