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V73CAG02168RFJI9H

DRAM,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ProMOS Technologies Inc

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
Objectid
145229720733
Reach Compliance Code
unknown
Country Of Origin
Taiwan
ECCN代码
EAR99
Date Of Intro
2020-09-22
YTEOL
4.95
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
667 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
8
JESD-30 代码
R-PBGA-B96
长度
13.5 mm
内存密度
2147483648 bit
内存集成电路类型
DDR3 DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
96
字数
134217728 words
字数代码
128000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
105 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128MX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装等效代码
BGA96,9X16,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
刷新周期
8192
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
8
最大待机电流
0.01 A
最大压摆率
0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.575 V
最小供电电压 (Vsup)
1.425 V
标称供电电压 (Vsup)
1.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
宽度
7.5 mm
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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