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V73CBG02408RFJI9M

DRAM,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ProMOS Technologies Inc

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
Objectid
145229720698
Reach Compliance Code
unknown
Country Of Origin
Taiwan
ECCN代码
EAR99
Date Of Intro
2020-09-22
YTEOL
4.95
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
667 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
8
内存密度
2147483648 bit
内存集成电路类型
DDR3 DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
字数
536870912 words
字数代码
512000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
95 °C
最低工作温度
-20 °C
组织
512MX4
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
刷新周期
8192
自我刷新
YES
连续突发长度
8
最大供电电压 (Vsup)
1.575 V
最小供电电压 (Vsup)
1.425 V
标称供电电压 (Vsup)
1.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
端子形式
BALL
端子位置
BOTTOM
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