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V73CBG04408RALJJ11I

DDR DRAM, 1GX4, 0.225ns, CMOS, PBGA78,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ProMOS Technologies Inc

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
Objectid
8309607812
包装说明
FBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代码
EAR99
YTEOL
2
最长访问时间
0.225 ns
最大时钟频率 (fCLK)
800 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
8
JESD-30 代码
R-PBGA-B78
内存密度
4294967296 bit
内存集成电路类型
DDR3L DRAM
内存宽度
4
端子数量
78
字数
1073741824 words
字数代码
1000000000
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
1GX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FBGA
封装等效代码
BGA78,9X13,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, FINE PITCH
电源
1.35 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
连续突发长度
8
最大待机电流
0.01 A
最大压摆率
0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)
1.35 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
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