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V826632B24SATG-B1

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-200

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ProMOS Technologies Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ProMOS Technologies Inc
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM, DIMM200,24
针数
200
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.75 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
143 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N200
JESD-609代码
e4
内存密度
2147483648 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
200
字数
33554432 words
字数代码
32000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
32MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM200,24
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
2.5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
自我刷新
YES
最大待机电流
0.08 A
最大压摆率
1.21 mA
最大供电电压 (Vsup)
2.7 V
最小供电电压 (Vsup)
2.3 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Gold (Au)
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.6 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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