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V826632G24SATG-A1

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, PDMA200

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ProMOS Technologies Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ProMOS Technologies Inc
Reach Compliance Code
compliant
最长访问时间
0.8 ns
最大时钟频率 (fCLK)
125 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDMA-N200
JESD-609代码
e4
内存密度
2147483648 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
端子数量
200
字数
33554432 words
字数代码
32000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
32MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM200,24
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
2.5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
最大压摆率
2 mA
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
GOLD
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.6 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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