V826765G24SB
1GB 200-PIN DDR UNBUFFERED SODIMM
128M x 64
Features
■
JEDEC 200 Pin DDR Unbuffered Small-Outline,
Dual In-Line memory module (SODIMM);
134,217,728 x 64 bit organization.
■
Utilizes High Performance 64M x 8 DDR
SDRAM in FBGA Packages
■
Single +2.5V (± 0.2V) Power Supply
■
Single +2.6V (± 0.1V) Power Supply for DDR400
■
Programmable CAS Latency, Burst Length, and
Wrap Sequence (Sequential & Interleave)
■
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh
■
All Inputs, Outputs are SSTL-2 Compatible
■
8192 Refresh Cycles every 64 ms
■
Serial Presence Detect (SPD)
■
Module Speed
Module Speed
D3
200
(PC400B)
Description
The V826765G24SB memory module is
organized 134,217,728 x 64 bits in a 200 pin
memory module. The 128M x 64 memory module
uses 16 ProMOS 64M x 8 DDR SDRAM. The x64
modules are ideal for use in high performance
computer systems where increased memory
density and fast access times are required.
C0
166
(PC333)
Units
MHz
ns
ns
CLK
CLK
A1
Clock Frequency (max.)
PC1600 (100MHz @ CL2)
B0 t PC2100B (133MHz @ CL2.5)
Clock Cycle Time CAS Latency = 3
CK
B1
PC2100A (133MHz @ CL2)
Clock Cycle Time CAS Latency = 2.5
C0
PC2700 (166MHz @ CL2.5)
tRCD parameter
t
RCD
t
RP
tRP parameter
5
6
3
3
-
6
3
3
V826765G24SB Rev. 1.1 April 2006
1
ProMOS TECHNOLOGIES
Part Number Information
V826765G24SB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
V
ProMOS
TYPE
8 : DDR
8
2
6 7
6 5
DATA
DEPTH
16 : 16Mb
32 : 32 Mb
64 : 64 Mb
65 : 128 Mb
66 : 256 Mb
G
2
REFRESH
RATE
0: 4K
2: 8K
4
S
B
COMPONENT
REV LEVEL
J
W
PCB TYPE
-
D
3
G : GOLD_LEAD PLATING
W : GOLD_RoHS
L : LOW PROFILE_LEAD PLATING
X : LOW PROFILE_RoHS
VOLTAGE
2 : 2.5V
DATA WIDTH
& COMP DENSITY
65
66
67
68
69
73
74
75
76
77
X64 using 128M
X64 using 256M
X64 using 512M
X64 using 1G
X64 using 2G
X72 using 128M
X72 using 256M
X72 using 512M
X72 using 1G
X72 using 2G
MODULE TYPE
& COMP WIDTH
BANKS
4 : 4 Banks
COMPONENT PKG
LEAD
PLATING
T
S
D
Z
I
J
N
P
GREEN
PACKAGE
DESCRIPTION
TSOP
FBGA
Die-stacked TSOP
Die-stacked FBGA
BASED ON
184PIN DIMM
UNBUFFERED
184PIN DIMM
REGISTERED
200PIN
SO-DIMM
172PIN
Micro-DIMM
X4 X16 X8
I
N
V
J
O
B
K
U
G
M
I/O INTERFACE
S: SSTL_2
SPEED
B0 : PC2100B (133MHz @CL2.5-3-3)
B1 : PC2100A (133MHz @CL2-2-2)
C0 : PC2700 (166MHz @CL2.5-3-3)
D0 : PC3200 (200MHz @CL2.5-3-3)
D3 : PC3200 (200MHz @CL3-3-3)
*RoHS: Restriction of Hazardous Substances
*GREEN: RoHS-compliant and Halogen-Free
V826765G24SB Rev. 1.1 April 2006
2
ProMOS TECHNOLOGIES
Block Diagram
CS1#
CS0#
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS2
DM2
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS4
DM4
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS6
DM6
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM CS# DQS
DQ
U4
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
U4
1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
U3
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
U3
1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS1
DM1
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM CS# DQS
DQ
U8
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
U2
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
U2
1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS3
DM3
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM CS# DQS
DQ
U7
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
U1
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
U1
1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM CS# DQS
DQ
U6
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS7
DM7
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DM CS# DQS
DQ
U5
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
V826765G24SB
DM CS# DQS
DQ
U5
1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
U6
1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
U7
1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
U8
1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
120
BA0, BA1
A0-A12
RAS#
CAS#
CKE0
CKE1
WE#
BA0, BA1: DDR SDRAMs U1-U8
A0-A12: DDR SDRAMs U1-U8
RAS#: DDR SDRAMs U1-U8
CAS#: DDR SDRAMs U1-U8
CKE0: DDR SDRAMs U1
0
-U8
0
CKE1: DDR SDRAMs U1
1
-U8
1
WE#: DDR SDRAMs U1-U8
CK2
CK2#
120
CK1
CK1#
CK0
CK0#
120
DDR SDRAM X 8
DDR SDRAM X 8
SERIAL PD
SCL
WP
A0
U20
A1 A2
SDA
V
DDQ
V
DD
V
REF
V
SS
DDR SDRAMs
DDR SDRAMs
DDR SDRAMs
DDR SDRAMs
SA0 SA1 SA2
V826765G24SB Rev. 1.1 April 2006
3
ProMOS TECHNOLOGIES
Pin Configurations (Front Side/Back Side)
Pin
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
Front
VREF
VSS
DQ0
DQ1
VDD
DQS0
DQ2
VSS
DQ3
DQ8
VDD
DQ9
DQS1
VSS
DQ10
DQ11
VDD
CK0
CK0
VSS
Key
V826765G24SB
Pin
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
Front
DQ27
VDD
CB0
CB1
VSS
DQS8
CB2
VDD
CB3
DU
VSS
CK2
CK2
VDD
CKE1
DU
A12
A9
VSS
A7
A5
A3
A1
VDD
A10/AP
BA0
WE
S0
DU
VSS
DQ32
DQ33
VDD
DQS4
Pin
135
137
139
141
143
145
147
149
151
153
155
157
159
161
163
165
167
169
171
173
175
177
179
181
183
185
187
189
191
193
195
197
199
Front
DQ34
VSS
DQ35
DQ40
VDD
DQ41
DQS5
VSS
DQ42
DQ43
VDD
VDD
VSS
VSS
DQ48
DQ49
VDD
DQS6
DQ50
VSS
DQ51
DQ56
VDD
DQ57
DQS7
DQ58
DQ58
DQ59
VDD
SDA
SCL
VDDSPD
VDDID
Pin
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
Back
VREF
VSS
DQ4
DQ5
VDD
DM0
DQ6
VSS
DQ7
DQ12
VDD
DQ13
DM1
VSS
DQ14
DQ15
VDD
VDD
VSS
VSS
Key
Pin
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
Back
DQ31
VDD
CB4
CB5
VSS
DM8
CB6
VDD
CB7
DU/(RESET)
VSS
VSS
VDD
VDD
CKE0
DU(BA2)
A11
A8
VSS
A6
A4
A2
A0
VDD
BA1
RAS
CAS
S1
DU
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4
Pin
136
138
140
142
144
146
148
150
152
154
156
158
160
162
164
166
168
170
172
174
176
178
180
182
184
186
188
190
192
194
196
198
200
Back
DQ38
VSS
DQ39
DQ44
VDD
DQ45
DM5
VSS
DQ46
DQ47
VDD
CK1
CK1
VSS
DQ52
DQ53
VDD
DM6
DQ54
VSS
DQ55
DQ60
VDD
DQ61
DM7
VSS
DQ62
DQ63
VDD
SA0
SA1
SA2
DU
DQ16
DQ17
VDD
DQS2
DQ18
VSS
DQ19
DQ24
VDD
DQ25
DQS3
VSS
DQ26
DQ20
DQ21
VDD
DM2
DQ22
VSS
DQ23
DQ28
VDD
DQ29
DM3
VSS
DQ30
Notes:
*
These pins are not used in this module.
Pin Names
Pin
A0~A12
BA0~BA1
DQ0~DQ63
DQS0~DQS7
CK0~CK2, CK0~CK2,
CKE0, CKE1
CS0 , CS1
RAS
CAS
WE
DM0~DM7
Pin Description
Address Input (Multiplexed)
Bank Select Address
Data Input/Output
Data Strobe Input/Output
Clock Input
Clock Enable Input
Chip Select Input
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Data - In Mask
Pin
VDD
VDDQ
VSS
VREF
VDDSPD
SDA
SCL
SA0~2
VDDID
NC
Pin Description
Power Supply 2.5V, DDR400 2.6V
Power Supply for DQS 2.5V,
DDR400 2.6V
Ground
Power Supply for Reference
Serial EEPOM Power Supply (2.3V
to 3.6V)
Serial Data I/O
Serial Clock
Address in EEPROM
VDD Identification Flag
No Connection
V826765G24SB Rev. 1.1 April 2006
4
ProMOS TECHNOLOGIES
Serial Presence Detect Information
Bin Sort:
D3 (PC3200 @ CL 3-3-3)
C0 (PC2700 @ CL 2.5-3-3)
V826765G24SB
Function Supported
Byte #
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
Hex value
D3
80h
08h
07h
0Dh
0Bh
02h
40h
00h
04h
50h
65h
00h
82h
08h
00h
01h
0Eh
04h
08h
18h
01h
02h
20h
60h
70h
Function described
Defines # of Bytes written into serial memory at module manufacturer
Total # of Bytes of SPD memory device
Fundamental memory type
# of row address on this assembly
# of column address on this assembly
# of module Ranks on this assembly
Data width of this assembly
.........Data width of this assembly
VDDQ and interface standard of this assembly
DDR SDRAM cycle time at highest CAS Latency
DDR SDRAM Access time from clock at highest CL
DIMM configuration type(Non-parity, Parity, ECC)
Refresh rate & type
Primary DDR SDRAM width
Error checking DDR SDRAM data width
Minimum clock delay for back-to-back random column address
DDR SDRAM device attributes : Burst lengths supported
DDR SDRAM device attributes : # of banks on each DDR SDRAM
DDR SDRAM device attributes : CAS Latency supported
D3
128bytes
256bytes
C0
C0
SDRAM DDR
13
11
2 Ranks
64 bits
-
SSTL 2.5V
5ns
±0.65ns
6ns
±0.70ns
Non-parity, Non-ECC
7.8us & Self refresh
x8
N/A
t
CCD
=1CLK
2,4,8
4 banks
2.5(C0)
2.5, 3(D3)
0CLK
1CLK
Differential clock /
non Registered
+/-0.2V voltage tolerance
Concurrent Auto Precharge
tRAS Lock Out
6.0ns
±0.70ns
-
-
15ns
-
-
-
-
18ns
60h
70h
00h
00h
3Ch
19
20
21
DDR SDRAM device attributes : CS Latency
DDR SDRAM device attributes : WE Latency
DDR SDRAM module attributes
22
DDR SDRAM device attributes : General
C0h
23
24
25
26
27
DDR SDRAM cycle time at second highest CL
DDR SDRAM Access time from clock at second highest CL
DDR SDRAM cycle time at third highest CL
DDR SDRAM Access time from clock at third highest CL
Minimum row precharge time (=t
RP
)
00h
00h
00h
00h
48h
V826765G24SB Rev. 1.1 April 2006
5
