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V916765G24QBFW-D3

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ProMOS Technologies Inc

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
SODIMM
包装说明
DIMM,
针数
200
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.6 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-XZMA-N200
JESD-609代码
e4
内存密度
8589934592 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
200
字数
134217728 words
字数代码
128000000
工作模式
SYNCHRONOUS
组织
128MX64
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
端子面层
Gold (Au)
端子形式
NO LEAD
端子位置
ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
参数对比
与V916765G24QBFW-D3相近的元器件有:V916765G24QBFW-G5、V916765G24QBFW-F5、V916765G24QBFW-E4。描述及对比如下:
型号 V916765G24QBFW-D3 V916765G24QBFW-G5 V916765G24QBFW-F5 V916765G24QBFW-E4
描述 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM, DIMM,
针数 200 200 200 200
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4
内存密度 8589934592 bit 8589934592 bit 8589934592 bit 8589934592 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 200 200 200 200
字数 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 128000000 128000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 128MX64 128MX64 128MX64 128MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
端子面层 Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 1
最长访问时间 0.6 ns - 0.45 ns 0.5 ns
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