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V917665B24QAFW-D3

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ProMOS Technologies Inc

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
MODULE
包装说明
DIMM,
针数
200
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.6 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-XDMA-N200
JESD-609代码
e4
内存密度
4294967296 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
200
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
SYNCHRONOUS
组织
64MX64
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
端子面层
Gold (Au)
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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