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VM28XS

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 200V V(RRM), Silicon,

器件类别：分立半导体二极管

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

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器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

Reach Compliance Code

unknown

配置

BRIDGE, 4 ELEMENTS

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

BRIDGE RECTIFIER DIODE

最大正向电压 (VF)

1.4 V

JESD-30 代码

R-PDSO-G4

JESD-609代码

最大非重复峰值正向电流

25 A

元件数量

相数

端子数量

最高工作温度

135 °C

最低工作温度

-50 °C

最大输出电流

0.8 A

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

认证状态

Not Qualified

最大重复峰值反向电压

200 V

最大反向电流

0.000005 µA

最大反向恢复时间

0.2 µs

表面贴装

YES

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

Base Number Matches

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