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W3HG2256M64ECEU534D4MG

DDR DRAM Module, 512MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-200

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
Objectid
1820295305
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM,
针数
200
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.5 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-XDMA-N200
JESD-609代码
e4
内存密度
34359738368 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
200
字数
536870912 words
字数代码
512000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
组织
512MX64
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态
Not Qualified
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子面层
GOLD
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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