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W9812G2DB-75

Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-90

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Winbond(华邦电子)

厂商官网:http://www.winbond.com.tw

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Winbond(华邦电子)
零件包装代码
BGA
包装说明
TFBGA,
针数
90
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
5.4 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-PBGA-B90
JESD-609代码
e1
长度
13 mm
内存密度
134217728 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
32
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
90
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX32
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
宽度
8 mm
参数对比
与W9812G2DB-75相近的元器件有:W981232DB-75、W9812G2DB75E、W981232DB75E。描述及对比如下:
型号 W9812G2DB-75 W981232DB-75 W9812G2DB75E W981232DB75E
描述 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-90 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, TFBGA-90 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-90 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, TFBGA-90
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Winbond(华邦电子) Winbond(华邦电子) Winbond(华邦电子) Winbond(华邦电子)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA,
针数 90 90 90 90
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90
长度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 90 90 90 90
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C
组织 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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