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WED3DG6366V7D2G

Synchronous DRAM Module, 64MX8, 5.4ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-144

器件类别：存储存储

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

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参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Microsemi

零件包装代码

DIMM

包装说明

DIMM,

针数

144

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

访问模式

DUAL BANK PAGE BURST

最长访问时间

5.4 ns

其他特性

AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX

JESD-30 代码

R-XDMA-N168

长度

133.48 mm

内存密度

536870912 bit

内存集成电路类型

SYNCHRONOUS DRAM MODULE

内存宽度

功能数量

端口数量

端子数量

168

字数

67108864 words

字数代码

64000000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

64MX8

封装主体材料

UNSPECIFIED

封装代码

DIMM

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

MICROELECTRONIC ASSEMBLY

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

30.48 mm

自我刷新

YES

最大供电电压 (Vsup)

3.6 V

最小供电电压 (Vsup)

3 V

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子形式

NO LEAD

端子位置

DUAL

宽度

2.54 mm

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