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WF512K32N-60H1M5A

512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CPGA66

器件类别:存储   

厂商名称:ETC

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器件参数
参数名称
属性值
功能数量
1
端子数量
66
最小工作温度
-55 Cel
最大工作温度
125 Cel
额定供电电压
5 V
最小供电/工作电压
4.5 V
最大供电/工作电压
5.5 V
加工封装描述
1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
状态
Transferred
ype
NOR TYPE
sub_category
Flash Memories
ccess_time_max
90 ns
data_polling
YES
jesd_30_code
S-CPGA-P66
jesd_609_code
e0
存储密度
1.68E7 bi
内存IC类型
FLASH MODULE
备用存储器宽度
16
moisture_sensitivity_level
NOT SPECIFIED
umber_of_sectors_size
32
位数
524288 words
位数
512K
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织
512KX32
包装材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
ckage_code
PGA
ckage_equivalence_code
PGA66,11X11
包装形状
SQUARE
包装尺寸
GRID ARRAY
串行并行
PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_
NOT SPECIFIED
wer_supplies__v_
5
gramming_voltage__v_
5
qualification_status
COMMERCIAL
screening_level
38535Q/M;38534H;883B
seated_height_max
4.6 mm
sector_size__words_
16K
standby_current_max
0.0065 Am
最大供电电压
0.2400 Am
表面贴装
NO
工艺
CMOS
温度等级
MILITARY
端子涂层
TIN LEAD
端子形式
PIN/PEG
端子间距
2.54 mm
端子位置
PERPENDICULAR
ime_peak_reflow_temperature_max__s_
NOT SPECIFIED
ggle_bi
NO
length
27.3 mm
width
27.3 mm
dditional_feature
USER CONFIGURABLE AS 2M X 8
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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