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WS128K8-45CQ

SRAM Module, 128KX8, 45ns, Hybrid, CDIP32,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Microsemi
包装说明
DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
45 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDIP-T32
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
SRAM MODULE
内存宽度
8
端子数量
32
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
128KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP32,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流
0.002 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
HYBRID
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
热门器件
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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