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X25040PM-3

EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Xicor Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Xicor Inc
包装说明
PLASTIC, DIP-8
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
3 WIRE SERIAL INTERFACE; SPI BUS INTERFACE
最大时钟频率 (fCLK)
1 MHz
数据保留时间-最小值
100
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e0
长度
10.03 mm
内存密度
4096 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
8
字数
512 words
字数代码
512
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
512X8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3.3/5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.32 mm
串行总线类型
SPI
最大待机电流
0.00015 A
最大压摆率
0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)
10 ms
写保护
HARDWARE/SOFTWARE
参数对比
与X25040PM-3相近的元器件有:X25040P-3。描述及对比如下:
型号 X25040PM-3 X25040P-3
描述 EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 PLASTIC, DIP-8 PLASTIC, DIP-8
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 3 WIRE SERIAL INTERFACE; SPI BUS INTERFACE 3 WIRE SERIAL INTERFACE; SPI BUS INTERFACE
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz 1 MHz
数据保留时间-最小值 100 100
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e0 e0
长度 10.03 mm 10.03 mm
内存密度 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 512 words 512 words
字数代码 512 512
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C
组织 512X8 512X8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3/5 V 3.3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.32 mm 4.32 mm
串行总线类型 SPI SPI
最大待机电流 0.00015 A 0.00015 A
最大压摆率 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
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