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X28C513EMB-12T1

EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Xicor Inc

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Xicor Inc
包装说明
QCCN,
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
120 ns
其他特性
100000 ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; 128-BYTE PAGE
数据保留时间-最小值
10
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-CQCC-N32
长度
13.97 mm
内存密度
524288 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
64KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
QCCN
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
编程电压
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883
座面最大高度
3.048 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
宽度
11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)
10 ms
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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