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ZC835TA

Variable Capacitance Diode, 68pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Zetex Semiconductors

厂商官网:http://www.zetex.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
包装说明
R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW NOISE
最小击穿电压
25 V
配置
SINGLE
二极管电容容差
20%
最小二极管电容比
5
标称二极管电容
68 pF
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
最大功率耗散
0.33 W
认证状态
Not Qualified
最小质量因数
100
最大反向电流
0.02 µA
反向测试电压
20 V
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
变容二极管分类
HYPERABRUPT
Base Number Matches
1
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