ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W),
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
Surface Mount Silicon-Zener Diodes
Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2011-10-17
ZMY...G planar
ZMY... non-planar
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
3.0...9.1 V
DO-213AB
10...200 V
DO-213AB
0.12 g
Glass case – Glasgehäuse MELF
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
2.5
2.5
0.4
0.5
Type
Typ
5.0
5.0
Type
Typ
Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
0.4
Dimensions
- Maße [mm]
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Power dissipation – Verlustleistung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
Power dissipation – Verlustleistung
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
23
0.5
Grenz- und Kennwerte
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
T
A
= 25°C
P
tot
1.0 W
1
)
-50...+175°C
-50...+175°C
< 150 K/W
1
)
< 70 K/W
T
J
T
S
R
thA
R
thT
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
tot
P
ZSM
1.3 W
1
)
40 W
-50...+150°C
-50...+175°C
< 45 K/W
1
)
< 10 K/W
T
J
T
S
R
thA
R
thT
1
2
3
Mounted on P.C. board with 50 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Bei allen Kenn- und Grenzwerten ist der Index “F” statt “Z” zu setzen
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
Maximum ratings
Type
Typ
Zener voltage
2
)
Zener-Spannung
2
)
I
Z
= I
Ztest
V
zmin
[V]
ZMY1
3
)
ZMY3.0G
ZMY3.3G
ZMY3.6G
ZMY3.9G
ZMY4.3G
ZMY4.7G
ZMY5.1G
ZMY5.6G
ZMY6.2G
ZMY6.8G
ZMY7.5G
ZMY8.2G
ZMY9.1G
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
ZMY110
ZMY120
ZMY130
ZMY150
ZMY160
ZMY180
ZMY200
0.71
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
zmax
[V]
0.82
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
Test current
Meßstrom
I
Ztest
[mA]
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
I
Ztest
/ f = 1 kHz
r
zj
[Ω]
0.5 (<1)
5 (<8)
5 (<8)
5 (<8)
4 (<7)
4 (<7)
4 (<7)
2 (<5)
1 (<2)
1 (<2)
1 (<2)
1 (<2)
1 (<2)
2 (<4)
2 (<4)
4 (<7)
4 (<7)
5 (<10)
5 (<10)
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
7 (<15)
7 (<15)
8 (<15)
8 (<15)
16 (<40)
20 (<40)
24 (<45)
24 (<45)
25 (<60)
25 (<60)
25 (<80)
25 (<80)
30 (<100)
30 (<100)
40 (<200)
60 (<200)
80 (<250)
80 (<250)
90 (<300)
100 (<300)
110 (<350)
120 (<350)
150 (<350)
Temp. Coeffic.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–8…+1
–8…+1
–8…+1
–7…+2
–7…+3
–7…+4
–6…+5
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
Reverse volt.
Sperrspanng.
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
–
–
> 0.7 / 150 µA
> 0.7 / 100 µA
> 0.7 / 100 µA
> 0.7 / 50 µA
> 0.7 / 10 µA
> 0.7 / 10 µA
> 0.5 / 3 µA
> 1.5 / 500 nA
> 2 / 500 nA
> 3 / 500 nA
> 6 / 500 nA
> 7 / 500 nA
>5
>5
>7
>7
> 10
> 10
> 10
> 10
> 12
> 12
> 14
> 14
> 17
> 17
> 20
> 20
> 24
> 24
> 28
> 28
> 34
> 34
> 41
> 41
> 50
> 50
> 60
> 60
> 75
> 75
> 90
> 90
Grenzwerte
Z-current
1
)
Z-Strom
1
)
T
A
= 50°C
I
Zmax
[mA]
1000
313
286
263
244
217
200
185
167
152
139
127
115
104
123
112
102
92
83
76
68
61
56
51
45
41
37
34
32
28
26
24
22
20
18
16
15
14
12
11
10
9
8
8
7
6
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
120
[%]
100
ZMY10...200
150
[mA]
100
I
Z
= 100 mA
5,1
4,7
4,3
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
80
60
ZMY3.0G...9.1G
3,9
50
3,6
3,3
3,0
I
Z
= 50 mA
40
I
Z
0
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
0
V
Z
4
5
7
2
3
6
8
[V]
Typical breakdown characteristic
– tested with pulses
Typische Abbruchspannung
– gemessen mit Impulsen
10
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
1
)
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
10
18
24
30
36
43
51
56
62
68
75
82
91
100
T
j
= 25°C
1
I
Zmax
10
-1
I
F
10
-2
0.4
30a-(1a-1.1v)
T
j
= 25°C
I
ZT
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Typical breakdown characteristic
– tested with pulses
Typische Abbruchspannung
– gemessen mit Impulsen
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[pF]
ZMY3.0G...9.1G
T
j
= 25°C
f = 1.0 MHz
V
R
= 0V
ZMY10...200
C
j
V
Z
[V]
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3
电子竞赛
