漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.8A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.15W 类型:P沟道 P沟道,-60V,-6.8A,55mΩ@-10V
器件类别:分立半导体 MOS(场效应管)
厂商名称:Diodes
厂商官网:http://www.diodes.com/
供应商:
器件:ZXMP6A18KTC
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