Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道
NCE Power
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道 NMOS，100V/14A，8.8mΩ；
无锡新洁能
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Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：10.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道
NCE Power
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：105W(Tc) 类型：N沟道 NMOS，100V/60A，8.5mΩ；
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：78A(Tc) 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：78A(Tc) 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：78A(Tc) 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，100V，78A，7.2mΩ@10V
台湾微碧(VBsemi)
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
NCE Power
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：108A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：160W(Tc) 类型：N沟道
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：129A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：185W(Tc) 类型：N沟道
NCE Power
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：135mA(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220W(Tc) 类型：N沟道
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：135mA(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.6mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：210W(Tc) 类型：N沟道
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：135mA(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.6mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：210W(Tc) 类型：N沟道
NCE Power
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220W(Tc) 类型：N沟道 NMOS，100V/135A，RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：170A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
NCE Power
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
NCE Power
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
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NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
NCE Power
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
